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卓知科儀(北京)技術有限公司
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更新時間:2023-01-11 15:40:15瀏覽次數(shù):201次
聯(lián)系我時,請告知來自 化工機械設備網(wǎng)PyLoN系列相機是一款專門針對超高靈敏度科研光譜應用的液氮低溫制冷CCD相機。PI重新設計了Spec-10系列的相機,去掉了外部的控制器,增加了實驗靈活性的同時,提升了低噪聲表現(xiàn)。而PyLon-IR主要用于用戶高靈敏度量化科研應用,是近紅外光譜探測的理想選擇?,F(xiàn)有兩個型號可選1024-1.7及1024-2.2,具備了800nm up to 2.2um光譜覆蓋范圍。并且該產(chǎn)品應用的新型InGaAs材料比傳統(tǒng)的材料的本底暗噪聲更小,16bit的設計使其能夠勝任多種應用。
普林斯頓儀器公司的PyLoN相機每天都在實驗室進行的革命性研究中發(fā)揮著關鍵作用。 這些緊湊型相機是解決要求嚴格的暗噪聲限制成像和光譜應用的所有必需品。
PyLoN的暗電流水平約為1 e- /像素/小時,非常適合需要數(shù)分鐘至數(shù)小時的長時間曝光的光子匱乏應用,例如增強拉曼光譜(TERS),天文學和光致發(fā)光。
【產(chǎn)品規(guī)格參數(shù)】
PyLoN:2系列
相機型號 | PyLoN:2KB_eXcelon | PyLoN:2KB/BUV | PyLoN:2KF |
在-120°C下暗電流 | 0.1(e-/pixel/hour) | ||
標準讀出噪聲 @50kHz @1MHz |
3.5e-rms (single pixel), 8e-rms (FVB) 8e-rms(single pixel) | ||
工作溫度 | -80°C-120°C;溫控精度±0.05; | ||
CCD靶面 | 2048×512,13.5mm×13.5mm,99%填充因子 | ||
靶面大小 | 27.6mm×6.9mm(光學中心) | ||
滿阱電子 |
>250ke- | ||
ADC速度 | 50,100,200,500KHz 和1,2,4,MHz,16bits | ||
模擬增益 | 1,2,4e-/ADU(高靈敏度模式);3,6,12e-,ADU(高容量模式) |
PyLoN:100系列
PyLoN:100BR_eXcelon | PyLoN:100BR | PyLoN:100BR_eXcelon | PyLoN:100B | PyLoN:100F | |
在-120°C下暗電流(e-/pixel/hour) | 0.3 | ||||
標準讀出噪聲 @100kHz @2MHz |
3 e-rms (single pixel), 12 e-rms(single pixel) | ||||
工作溫度 | -80°C-120° C;溫控精度±0.05; | ||||
CCD靶面 | 1340×100,20mm×20mm,99%填充因子 | ||||
靶面大小 | 26.8mm×2.0mm(光學中心) | ||||
滿阱電子 |
200ke- | ||||
ADC速度 | 50,100,200,500KHz 和1,2,4,MHz ,16bits | ||||
模擬增益 | 0.75,1.5,3.0e-/ADU(高靈敏度模式);3,6,12e-,ADU(高容量模式) |
PyLon:256系列
相機型號 | PyLon:256E | PyLon:256BR | |
在-120°C下暗電流(e-/pixel/hour) | <1 | 8 | |
標準讀出噪聲 @50kHz @1MHz |
5e-rms (single pixel), 7e-rms (FVB) 15e-rms(single pixel) | ||
工作溫度 | -80°C-120°C;溫控精度±0.05; | ||
CCD靶面 | 1024×253,26mm×26mm,99%填充因子 | 1024×252,26mm×26mm,99%填充因子 | |
靶面大小 | 26.6mm×6.6mm(光學中心) | ||
滿阱電子 | >700ke- | ||
ADC速度 | 50,100,200,500KHz 和1,2,4MHz ,16bits | ||
模擬增益 | 2,4,8e-/ADU |
PyLon:400系列
相機型號 | PyLoN:400BR_eXcelon | PyLoN:400BR | PyLoN:400B_eXcelon | PyLoN:400B | PyLoN:400F |
在-120°C下暗電流(e-/pixel/hour) | 0.3 | ||||
標準讀出噪聲 @100kHz @2MHz |
3e-rms (single pixel), 12e-rms(single pixel) | ||||
工作溫度 | -80°C-120°C;溫控精度±0.05; | ||||
CCD靶面 | 1340×400,20mm×20mm,99%填充因子 | ||||
靶面大小 | 26.8mm×8.0mm(光學中心) | ||||
滿阱電子 |
200ke- | ||||
ADC速度 | 50,100,200,500KHz 和1,2,4MHz ,16bits | ||||
模擬增益 | 0.75,1.5,3.0e-/ADU(高靈敏度模式);3,6,12e-/ADU(高容量模式) |
PyLon-IR:1024系列
PyLon-IR: 1024-1.7 | PyLon-IR:1024-2.2 | |
芯片類型 | 線陣InGaAs陣列 | 線陣InGaAs陣列 |
靶面大小 | 1024x1pixels,25µm(W)x500µm(H) | 1024x1pixels,25µm(W)x250µm(H) |
光譜范圍 | 0.8 - 1.7µm | 1.0 - 2.2µm |
系統(tǒng)讀出噪聲 | 5000e-(低增益) 400e-(高增益) | 8000e-(低增益) 650e-(高增益) |
暗噪聲 | 2.3ke-/p/s(低增益) 3.2ke-/p/s(高增益) | 1.2Me-/p/s(低增益) 1.5 Me-/p/s(高增益) |
光譜速度 | 6600 spectra/sec.max. | |
阱深 | Low gain: 120 Me-,100 Me- min. High gain:4.5 Me-,4 Me- min. | |
非線性度
| Low gain:<1.5% High gain:<2.5% | |
最小曝光時間 | 20μs | |
工作溫度 | -50 to -100℃ | |
缺陷情況 | For 1.7 <1% defects For 2.2 <2% defects |
【量子效率曲線圖】
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