SAMCO ICP-RIE等離子體蝕刻設(shè)備 RIE-800iP是一種能夠產(chǎn)生高密度等離子體的ICP（感應(yīng)耦合等離子體）蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有高電導(dǎo)真空系統(tǒng)和精確的壓力控制，允許在低壓和高壓以及低壓和高壓氣流下進(jìn)行處理。此外，有了新開(kāi)發(fā)的Tornado ICP線圈，現(xiàn)在可以在高射頻功率和高真空下保持穩(wěn)定的等離子體。這些功能一起為用戶提供了最寬的處理窗口。

主要特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)

新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"。

可高效穩(wěn)定地應(yīng)用高射頻功率（2千瓦以上），并實(shí)現(xiàn)良好的均勻性。

大流量排氣系統(tǒng)

排氣系統(tǒng)直接連接到反應(yīng)室，可以實(shí)現(xiàn)從小流量和低壓范圍到大流量和高壓范圍的廣泛工藝窗口。

下電極升降機(jī)構(gòu)

晶片和等離子體之間的距離經(jīng)過(guò)優(yōu)化，以確保良好的平面內(nèi)均勻性。

易于維護(hù)的設(shè)計(jì)

TMP(渦輪分子泵)集成在設(shè)備中，便于更換。

應(yīng)用

GaN、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體的高精度加工。

SiC、SiO?的高速加工。

蝕刻鐵電材料（PZT、BST、SBT、SBT）、電極材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他難以蝕刻的材料。

複合式半導(dǎo)體晶片的等離子切割和薄型化。

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