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當前位置:青島佳鼎分析儀器有限公司>>光刻機>> 尼康Nikon二手光刻機NSR-2005 I8A翻新現(xiàn)貨
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更新時間:2023-02-24 16:55:44瀏覽次數(shù):82次
聯(lián)系我時,請告知來自 化工機械設備網(wǎng)二手現(xiàn)貨ASML ARF光刻機 XT:1700Fi
二手現(xiàn)貨Nikon ARF光刻機NSR-S220D
二手尼康Nikon 14年產(chǎn) ARF浸入式光刻機 NSR-S630D
光刻機NSR-2005 I8A用于集成電路生產(chǎn)中的微光刻工藝。是用來將掩膜版上形成的集成電路圖形以高分辨率、高精度、高效率的方式分步重復投影成像在晶圓表面上。
該機含有晶圓自動傳輸系統(tǒng)、版庫自動管理系統(tǒng)、可編程掩膜版光欄、自動調(diào)焦調(diào)平、晶圓自動對準、掩膜版自動對準、鏡頭倍率控制、自動光量控制、圖形自動優(yōu)化設計計算、故障顯示報警等*功能。
將曝光掩膜版和晶圓分別裝入掩膜版庫和晶圓傳輸單元后,NSR-2005 I8A型投影光刻機將按照操作軟件設定的數(shù)據(jù)格式、工作時序自動完成包括掩膜版、晶圓的交換、自動對準、自動調(diào)焦、自動分步曝光在內(nèi)的工作過程。
設備改造后,可以適用 4/6/8 英寸藍寶石基片的自動上片進行光刻加工。
No. 項目 性能指標 備注 1 分辨率(Resolution) ≤0. 55 umμm 膠厚 1μm 條件下,達到或優(yōu)于 0.5μm 為合格 2 焦深(DOF) 0.7μm 分辨率變化10%的z 向范圍。 3 鏡頭畸變(lens distortion) ≤±80nm 4 調(diào)焦重復性(FocusCalibration Repeatability) 3σ≤120nm 5 曝光面積(Maximum Exposure Area) 20mm×20mm 6 照明光強(Exposure Power) ≥550mw/cm2 換新燈后 30 分鐘 7 照明均勻性(Illumination Uniformity) ≤±1.5% 8 掩模光欄控制精度(Reticle Blind Setting Accuracy) +0.4mm—0.8mm 9 套刻精度(Overlay Accuracy) |M|+3σ≤110nm 10 步進重復精度(Stepping Precision) 3σ≤80nm 11 工作臺正交性(Array orthogonality) ±0.2 秒 12. 硅片預對準(WaferPre-alignmentrepeatability) ≤±20um 13 硅片傳輸成功率: 99% 100片 14 掩膜傳輸成功率: 99%
二手尼康Nikon翻新現(xiàn)貨 光刻機NSR-2005 I8A價格大約80萬美金左右,更多詳細參數(shù)和技術修改以及方案對接,請咨詢我們進行詳談。
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