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水平LPCVD氧化擴散爐

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更新時間：2021-12-07 08:30:24瀏覽次數：97次

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產品信息產品性能：◆滿足2~8（12）寸晶圓工藝◆占地面積小
  • 產品信息
    產品性能：
     
    ◆滿足2~8（12）寸晶圓工藝
     
    ◆占地面積小，水平多管/立式單管
     
    ◆3溫區，300mm,5~25片/批
     
    ◆溫度：200~1300℃/1400℃/2200℃（高溫）
     
    配套工藝：
     
    ◆擴散：氣態/液態/固態源磷硼擴散
     
    ◆氧化：干氧/濕氧（DCE，HCL）
     
    ◆氮、氫退火，燒結、合金、固化等
     
     

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