電容率測試儀

本試驗方法包含當所用標準為集成阻抗時，實心電絕緣材料樣本的相對電容率，耗散因子，損耗指數，功率因子，相位角和損耗角的測定。列出的頻率范圍從小于1Hz到幾百兆赫茲。

介損損耗tgδ 0-1 ±1.5%  tgδx±0.0001

電容量Cx 40pF—20000pF ±0.5%  Cx±2pF

本電橋的環境溫度為20±5℃，相對濕度為30%-80%條件下，應滿足下列表中的技術指示要求。

Bartnikas, 第1章, “固體電介質損耗," 工程電介質,Vol IIA, 實心絕緣材料的電學性能: 分子結構和電學行為, R. Bartnikas and R. M. Eichorn, Editors, STP 783, ASTM, Philadelphia, 1983.

10×1kΩ                             1max≤15mA

10×10Ω                             l max≤150mA

電容率測試儀

引用文件

當前版本核準于2011年8月1日。2011年8月發行。原版本在1922年批準。前一新版本于2004年批準，即為 D150-98R04。DOI：10.1520/D0150-11。

測量項目 測量范圍 測量誤差

10×100Ω                            1max≤120mA

介電常數介質損耗測試儀1.范圍

介損損耗tgδ 0-0.1 ±1.5%  tgδx±0.0001

內附標準電容損耗﹤0.00005，名義值100pF

在使用中，本電橋頂A，B對V點的電壓高不超過11V，R3橋臂各盤的電流不超過下列規定：

Bartnikas, 第2章, “交流電損耗和電容率測量," 工程電介質, Vol. IIB, 實心絕緣材料的電學性能, 測量技術, R. Bartnikas, Editor, STP 926,ASTM, Philadelphia, 1987.

電容量Cx 4pF—2000pF ±0.5%  Cx±3pF

內附高壓電源精度3%

ASTM標準：4

測量項目 測量范圍 測量誤差

工作電壓說明

本標準是以固定代號D150發布的。其后的數字表示原文本正式通過的年號；在有修訂的情況下，為上一次的修訂年號；圓括號中數字為上一次重新確認的年號。上標符號（ε）表示對上次修改或重新確定的版本有編輯上的修改。

在Cn=100 pF      R4=3183.2（Ω）時

電橋采用接觸電阻小，機械壽命長的十進開關，保證測量的穩定性 I=ω V C

儀器具有雙屏蔽，能有效防止外部電磁場的干擾。

在Cn=100 pF    R4=318.3（Ω）時

電橋的特點；

儀器內部電阻及電容元件經特殊老化處理，使儀器技術性能穩定可靠。