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詳細(xì)介紹
在進(jìn)行鍍膜等工藝之前, 對(duì)原樣品的表面平整度/潔凈程度等參數(shù)會(huì)有不同的要求. 對(duì)于不達(dá)標(biāo)的樣品需要進(jìn)行前處理, KRI霍爾離子源可以很好的解決這類的問(wèn)題.
KRI霍爾離子源可以在低功耗的情況下進(jìn)行大電流的工作, 很好的處理樣品的清潔度/和平整度; 可以根據(jù)不同的工藝要求來(lái)控制樣品表面的光滑/粗糙程度; 一致且可靠地去除表面污染物, 以暴露原始基材, 達(dá)到清洗前處理的作用.
穩(wěn)定工藝并提高產(chǎn)品產(chǎn)量. KRI離子源清洗在在真空室中進(jìn)行, 基板表面清潔后可以立即沉積, 短停留時(shí)間暴露于真空背景清潔并活化基材表面比輝光放電更清潔, 生產(chǎn)率更高; 無(wú)需基板偏置/無(wú)需高壓, 消除了大多數(shù)腔室壁的濺射, 沒有額外的抽空, 很好地提高了整體工藝的效率與質(zhì)量.
沈陽(yáng)科學(xué)儀器股份有限公司客戶選用KRI EH1000型霍爾離子源組裝磁控濺射設(shè)備對(duì)聚氨酯類的材料進(jìn)行清洗前處理.
離子源清洗樣品的示意圖：
KRI 霍爾離子源 eH 1000 特性:
• 可拆卸陽(yáng)極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽(yáng)極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便; 無(wú)需水冷
• 高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術(shù)參數(shù):
型號(hào) | eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO |
供電 | DC magnetic confinement |
- 電壓 | 40-300V VDC |
- 離子源直徑 | ~ 5 cm |
- 陽(yáng)極結(jié)構(gòu) | 模塊化 |
電源控制 | eHx-30010A |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
- 離子束發(fā)散角度 | > 45° (hwhm) |
- 陽(yáng)極 | 標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
- 水冷 | 前板水冷 |
- 底座 | 移動(dòng)或快接法蘭 |
- 高度 | 4.0' |
- 直徑 | 5.7' |
- 加工材料 | 金屬 |
- 工藝氣體 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安裝距離 | 10-36" |
- 自動(dòng)控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
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