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美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用
閱讀：295 發布時間：2023-3-22上海伯東某客戶在熱蒸發鍍膜機中配置美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.
離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD
考夫曼離子源 KDC 40 中心到基片中心距離控制在 300mm, 離子源和基片都設計為高度可調節, 客戶可根據不同的工藝要求選擇合適的角度. 離子源上面做可聯動控制的蓋板, 在離子源剛啟動時關閉蓋板, 待離子束流穩定后打開蓋板, 對基片做預清潔和輔助鍍膜等工藝, 保證工藝的穩定性和均勻性. 當工藝完成后可以技術關閉蓋板, 保證離子源不被污染, 延長離子源使用壽命, 降低保養成本.
KRi 離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留
去除化學吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100?
KRi 離子源輔助鍍膜 IBAD
通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學, 以增加表面和原子/分子的流動性, 從而導致薄膜的致密化.
通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學轉化, 從而得到化學計量完整材料.
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
型號 | KDC 40 |
供電 | DC magnetic confinement |
- 陰極燈絲 | 1 |
- 陽極電壓 | 0-100V DC |
電子束 | OptiBeam™ |
- 柵極 | 專用, 自對準 |
-柵極直徑 | 4 cm |
中和器 | 燈絲 |
電源控制 | KSC 1202 |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
- 架構 | 移動或快速法蘭 |
- 高度 | 6.75' |
- 直徑 | 3.5' |
- 離子束 | 聚集, 平行, 散射 |
-加工材料 | 金屬, 電介質, 半導體 |
-工藝氣體 | 惰性, 活性, 混合 |
-安裝距離 | 6-18" |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 可調角度的支架
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 適用于標準和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設計具有納米精度的薄膜和表面. 無論是密度壓實, 應力控制, 光學傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產生有益的材料性能. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.
上海伯東同時提供熱蒸鍍機所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發更高質量的設備.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.
若您需要進一步的了解考夫曼離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅先生