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詳細介紹
光學鍍膜是光學工業中重要的工藝之一, 其中離子源輔助鍍膜技術是一種目前技術*的光學鍍膜技術. 離子源輔助鍍膜IAD的作用有：
1. 填充密度提高：折射率提高
2. 波長漂移減少
3. 紅外波段的水氣吸收減少
4. 增強了膜層的結合力、耐摩擦能力, 機械強度, 提高表面光潔度
5. 控制膜層的應力
6. 減少膜層的吸收和散射
7. 提高生產效率
離子源工作原理
在真空環境下, 利用發射的電子在電場合磁場的相互作用下, 使充入真空室的氣體產生離化, 在電場合磁場的作用下發射離子.
上海伯東代理美國考夫曼公司霍爾離子源、考夫曼離子源和射頻離子源, 選擇哪類型離子源, 用于輔助鍍膜 IAD呢？今天就跟大家簡單介紹這三種離子源.
霍爾離子源
霍爾離子源屬于高濃度低動能型, 其主要構成結構有：
1. 燈絲
2. 陽極模組
3. 主要模組
4. 底座(可調整角度, 高度)
實圖如下:
KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列在售型號及技術參數:
離子源型號 | 霍爾離子源 eH200(停產) | 霍爾離子源 eH400 | 霍爾離子源 eH1000 | 霍爾離子源 eH1000xO2 | 霍爾離子源 eH2000 | 霍爾離子源 eH3000 |
Cathode/Neutralizer | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | HC |
電壓 | 30-300V | 50-300V | 50-300V | 100-300V | 50-300V | 50-250V |
電流 | 2A | 5A | 10A | 10A | 10A | 20A |
散射角度 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 |
可充其他 | Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others | |||||
氣體流量 | 1-15sccm | 2-25sccm | 2-50sccm | 2-50sccm | 2-75sccm | 5-100sccm |
高度 | 2.0“ | 3.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 6.0“ |
直徑 | 2.5“ | 3.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 9.7“ |
水冷 | 無 | 可選 | 可選 | 可選 | 是 | 可選 |
考夫曼離子源 KDC
考夫曼離子源 KDC屬于高濃度低動能型, 其主要構成結構有：
1. Grid (柵極) 模組
2. Out shell (外殼) 模組
3. CathodeCathode moudlemoudle (陰極模組)
4. Anode with Magnet assembly (陽極與磁力模組)
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 技術參數：
離子源型號 | 離子源 KDC 10 | 離子源 KDC 40 | 離子源 KDC 75 | 離子源 KDC 100 | 離子源 KDC 160 |
Discharge | DC 熱離子 | DC 熱離子 | DC 熱離子 | DC 熱離子 | DC 熱離子 |
離子束流 | >10 mA | >100 mA | >250 mA | >400 mA | >650 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 1 cm Φ | 4 cm Φ | 7.5 cm Φ | 12 cm Φ | 16 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 1-5 sccm | 2-10 sccm | 2-15 sccm | 2-20 sccm | 2-30 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 11.5 cm | 17.1 cm | 20.1 cm | 23.5 cm | 25.2 cm |
直徑 | 4 cm | 9 cm | 14 cm | 19.4 cm | 23.2 cm |
中和器 | 燈絲 | ||||
射頻離子源 RFICP
射頻離子源RFICP屬于高濃度低動能型, 其主要構成結構有：
1. 底座風冷風扇
2. Grid (柵極) 模組
3. RF Coil (射頻銅管)
4. 石英杯
5. LFN 2000 (燈絲) 中和器
射頻離子源 RFICP 系列技術參數:
型號 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge | RFICP 射頻 | RFICP 射頻 | RFICP 射頻 | RFICP 射頻 | RFICP 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
以上是 KRI 霍爾離子源 / 考夫曼離子源 / 射頻離子源簡單介紹.
KRI 離子源輔助鍍膜 IAD 時, 霍爾離子源和考夫曼離子源, 哪個好？ 其實從上面的介紹可以看出, 霍爾離子源和考夫曼離子源, 并沒有好與不好之分, 主要是看工藝的需求, 適合的才是最合適的.
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