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詳細(xì)介紹
考夫曼離子源創(chuàng)始人 Dr.Harold R.Kaufman
Kaufman 博士 1926年在美國出生, 1951年加入美國 NASA 路易斯研究中心, 60年考夫曼博士發(fā)明了電子轟擊離子推進(jìn)器并以他的名字命名(考夫曼推進(jìn)器). 1969年美國航空航天學(xué)會 AIAA 授予他 James H. Wyld 推進(jìn)獎, 1970年考夫曼推進(jìn)器贏得了IR 100 (前身研發(fā)100獎), 1971年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務(wù)獎.
2016年, 美國 NASA 宇航局將 Harold Kaufman 博士列入格倫研究中心名人堂
1978 年 Kaufman & Robinson, Inc 公司成立
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國科羅拉多州的柯林斯堡創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 簡稱 KRI, 研發(fā)生產(chǎn)商用寬束離子源和電源控制器. 為世界各地的高科技企業(yè),真空系統(tǒng)設(shè)備商和研究機(jī)構(gòu)提供*的解決方案. 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
KRI 離子源主要產(chǎn)品
上海伯東美國 KRI 離子源是以真空為基礎(chǔ)的加工工具, 在原子水平上與材料相互作用, 適用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 等, KRI 提供無柵極離子源和柵極離子源, 類型包含考夫曼離子源, 霍爾離子源, 射頻離子源和電源控制器, 共計超過 25種規(guī)格, 累積銷售 3500+ 臺!
射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)規(guī)格:
型號 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 陽極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
考夫曼離子源 KDC 系列技術(shù)規(guī)格:
型號 | KDC 10 | KDC 40 | KDC 75 | KDC 100 | KDC 160 |
Discharge 陽極 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 |
離子束流 | >10 mA | >100 mA | >250 mA | >400 mA | >650 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 1 cm Φ | 4 cm Φ | 7.5 cm Φ | 12 cm Φ | 16 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 1-5 sccm | 2-10 sccm | 2-15 sccm | 2-20 sccm | 2-30 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 11.5 cm | 17.1 cm | 20.1 cm | 23.5 cm | 25.2 cm |
直徑 | 4 cm | 9 cm | 14 cm | 19.4 cm | 23.2 cm |
中和器 | 燈絲 | ||||
霍爾離子源 eH 系列技術(shù)規(guī)格:
型號 | eH 400 | eH 1000 | eH1000 xO2 | eH 2000 | eH 3000 |
Cathode/Neutralizer | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | HC |
陽極電壓 | 50-300V | 50-300V | 100-300V | 50-300V | 50-250V |
電流 | 5A | 10A | 10A | 10A | 20A |
散射角度 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 |
氣體流量 | 2-25sccm | 2-50sccm | 2-50sccm | 2-75sccm | 5-100sccm |
高度 | 3.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 6.0“ |
直徑 | 3.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 9.7“ |
水冷 | 可選 | 可選 | 可選 | 是 | 可選 |
KRI 離子源主要應(yīng)用
作為一種新興的材料加工技術(shù), 上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術(shù)性能, 協(xié)助您獲得理想的薄膜和材料表面性能. 美國 KRI 考夫曼離子源主要應(yīng)用于真空環(huán)境下的離子束輔助沉積, 納米級的干式蝕刻和表面改性.
離子清洗和輔助鍍膜: 霍爾離子源加裝于真空腔內(nèi), 對樣品進(jìn)行預(yù)清洗和輔助鍍膜
離子清洗和濺射鍍膜: 射頻離子源加裝于真空腔內(nèi), 對樣品進(jìn)行預(yù)清洗和濺射鍍膜
在高倍顯微鏡下檢視脫膜測試.jpg)
測試結(jié)果
--------- 使用其他品牌離子源--- --------------------- 使用美國考夫曼 KRI RFICP 325 離子源 ----------------------
從上圖可以清楚看出, 使用其他品牌離子源, 樣品存在崩邊的問題; 使用上海伯東美國 KRI 離子源, 樣品無崩邊
美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項利, 在此領(lǐng)域中, KRI 離子源是認(rèn)的, KRI 團(tuán)隊成員撰寫了超過 100篇文章, 出版物, 書籍和技術(shù)論文,為推進(jìn)寬波束設(shè)備和材料加工領(lǐng)域行業(yè)的知識體系做出貢獻(xiàn)!
上海伯東是美國考夫曼離子源 Kaufman & Robinson, Inc 中國總代理. 美國考夫曼公司離子源已廣泛應(yīng)用于離子濺射鍍膜 IBSD. 考夫曼離子源可控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使濺射時靶材被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質(zhì)量之薄膜. 考夫曼離子源可依客戶濺射工藝條件選擇 RFICP 射頻電源式考夫曼離子源或是 KDC 直流電原式考夫曼離子源.
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上海伯東：羅先生
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