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KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積 MoN 薄膜

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    上海市

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更新時間:2023-06-05 11:20:30瀏覽次數:91

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產品簡介

MoN薄膜是一種具有潛在應用價值的薄膜材料, 但對于其結構和性能的研究還較少. 因此,廣州某研究機構采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 在 304 不銹鋼基體表面濺射沉積 MoN薄膜, 系統研究了 MoN 薄膜在不同摩擦條件下的摩擦磨損行為.

詳細介紹

MoN薄膜是一種具有潛在應用價值的薄膜材料, 但對于其結構和性能的研究還較少. 因此,廣州某研究機構采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 在 304 不銹鋼基體表面濺射沉積 MoN薄膜, 系統研究了 MoN 薄膜在不同摩擦條件下的摩擦磨損行為.

 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:

離子源型號

RFICP220

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>800 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

離子束

聚焦,  平行,  散射

流量

10-40 sccm

通氣

Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

30 cm

直徑

41 cm

中和器

LFN 2000

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

KRI 射頻離子源 RFICP 220

 

結果表明:

偏壓顯著影響直流磁控沉積的 MoN 薄膜的晶相結構、表面形貌、斷面結構、硬度和摩擦磨損性能;隨脈沖偏壓的增大, MoN 薄膜的膜厚、硬度都先增大后減小, 而薄膜的磨損率卻先減小后增大, 其中 -500 V 脈沖偏壓下沉積的 MoN 薄膜具有高硬度為 7731 N/mm~2, 以及低的磨損率為 5.8×10~(-7)mm~3/(N·m).  此外, MoN 薄膜在不同載荷和轉速的摩擦條件下表現出不同的摩擦學行為.
 

KRI 離子源的功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

 

因此, 該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀,  質譜儀,  真空計,  美國 KRI 考夫曼離子源,  美國HVA 真空閥門,  美國 inTEST 高低溫沖擊測試機,  美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口品牌的代理商.

 

若您需要進一步的了解詳細信息或討論,  請參考以下聯絡方式:

上海伯東: 羅先生          


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