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詳細介紹
某 OEM 廠商為了提高鍍膜機鍍膜的品質, 其為客戶搭建的多靶磁控濺射鍍膜機的濺射源采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000, 真空腔體搭配的是伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 2300.
KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:
射頻離子源型號 | RFICP380 |
Discharge 陽極 | 射頻 RFICP |
離子束流 | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 39 cm |
直徑 | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000 技術參數:
離子源型號 | eH3000 | eH3000LO | eH3000MO |
Cathode/Neutralizer | HC | ||
電壓 | 50-250V | 50-300V | 50-250V |
電流 | 20A | 10A | 15A |
散射角度 | >45 | ||
可充氣體 | Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others | ||
氣體流量 | 5-100sccm | ||
高度 | 6.0“ | ||
直徑 | 9.7“ | ||
水冷 | 可選 | ||
F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
渦輪分子泵 HiPace 2300 技術參數：
型號 | 接口 DN | 抽速 l/s | 壓縮比 | 啟動壓強hPa | 極限壓力 | 全轉速氣體流量hPa l/s | 啟動時間 | 重量 | |||
進氣口 | 排氣口 | 氮氣N2 | 氦氣He | 氫氣 H2 | 氮氣N2 | 氮氣N2 | hPa | 氮氣N2 | min | kg | |
HiPace 2300 | 250 | 40 | 1,900 | 2,000 | 1,850 | > 1X108 | 1.8 | < 1X10–7 | 20 | 4 | 34 – 47 |
鍍膜機實際運用案例：
采用多靶磁控濺射鍍膜機在 UO_2 陶瓷 IFBA 芯塊表面上濺射沉積 ZrB_2 涂層，與其他未引用 KRI 離子源和 Pfeiffer 分子泵的多靶磁控濺射鍍膜機相比, 引進 KRI 離子源和 Pfeiffer 分子泵后, 其鍍制的 ZrB_2 涂層附著力明顯提高, 涂層厚度更加均勻, 晶粒更加細小, 沉積率更高.
KRI 離子源的功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:
上海伯東: 羅先生
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