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考夫曼射頻離子源制備IFBA 芯塊ZrB2 涂層

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    上海市

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更新時間:2023-06-05 11:01:26瀏覽次數:86

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產品簡介

某科研機構在 IFBA 芯塊 ZrB2 涂層研究中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助鍍膜設備濺射沉積 ZrB2 涂層.

詳細介紹

某科研機構在 IFBA 芯塊 ZrB2 涂層研究中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助鍍膜設備濺射沉積 ZrB2 涂層.

 

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:

射頻離子源型號

RFICP380

Discharge 陽極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

  

 

研究利用金相顯微鏡、掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、電感耦合等離子體發射光譜儀、膠帶粘附性剝離等方法測定了沉積 ZrB2 涂層的厚度、形貌、物相結構、成分、附著力以及沉積速率等性能參數, 研究了各濺射工藝條件如芯塊表面清潔度、濺射氣體壓力、濺射功率密度和轉鼓轉速對ZrB 涂層沉積率和附著力的影響.

 

KRI 離子源的功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

 

若您需要進一步的了解詳細信息或討論,  請參考以下聯絡方式:

上海伯東: 羅先生 


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