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詳細介紹
因產品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準
美國 KRI 霍爾離子源 eH 400
上海伯東代理美國進口 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設計提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統, 可以控制較低的離子能量, 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“ 高= 3"
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
KRI 霍爾離子源 eH 400 特性
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統
• 高效的等離子轉換和穩定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 400 技術參數:
型號 | eH 400 / eH 400 LEHO |
供電 | DC magnetic confinement |
- 電壓 | 40-300 V VDC |
- 離子源直徑 | ~ 4 cm |
- 陽極結構 | 模塊化 |
電源控制 | eHx-3005A |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
- 離子束發散角度 | > 45° (hwhm) |
- 陽極 | 標準或 Grooved |
- 水冷 | 前板水冷 |
- 底座 | 移動或快接法蘭 |
- 高度 | 3.0' |
- 直徑 | 3.7' |
- 加工材料 | 金屬 電介質 半導體 |
- 工藝氣體 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安裝距離 | 6-30" |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH 400 應用領域:
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預清潔 Load lock preclean
• In-situ preclean
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
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上海伯東 : 羅先生 中國臺灣伯東 : 王小姐
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