AW40-04BE-2,SMC溫控器選型參數
且吸著速度要快,則真空發生器的噴嘴直徑應越大.
⑥真空發生器在滿足使用要求的前提下應減小其耗氣量（L/min）,耗小數點的照勻的
，并且Ru和Rd具有相同的電阻。 （b）當氣體從左側流動時

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MEMS傳感器芯片包括從安裝在膜上的鉑薄膜涂覆加熱器（Rh）的中心對稱放置
的上游溫度測量傳感器（Ru）和下游溫度測量傳感器（Rd），以及環境溫度傳感器
Ra）測量氣體溫度。原理如右圖所示。 （a）當氣體靜止時，以Rh為中心的加熱
氣體的溫度分布是均單元參考可以在標準條件和正常條件之間選擇。
？外部輸入功能外部輸入功能可從累加值外部復位，自動移位和自動移位零中選擇
 （輸入信號：將輸入線連接至GND 30ms以上。）外部復位：當施加輸入信號時，
此功能將累計值復位為“0”。自動移位：當應用輸入信號時，該功能產生與實時
流速相關的變化。自動切換零：當在上述自動移位功能中施加正輸入信號時，

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此功能將實時流速顯示為“0”。相對地在負側的設定值和流速由在zui左側的
吸附管道及吸盤或密閉艙容積等),吸附表面的泄漏量與所需吸入口處壓力的大小有
關.對一定吸入口處壓力要求來說,若吸附腔的容積越小,響應時間越短;若吸入口處
壓力越高,吸附容積越小,表面泄漏量越小,則吸著響應時間亦越短;若吸附容積大,
VQZ115-5M-01 VQZ215-4Y VQZ242-4LB-C6 VQZ332-5LB-C8 VQZ342-5LB-C8
VQZ115-5MB-C4 VQZ215-5G VQZ242-4L-C6 VQZ332-5L-C8 VQZ342-5YB-02
VQZ115-5MB-C4-PR VQZ215-5G-01 VQZ242-4L-M5 VQZ332-5M-02 VQZ342-5YB-C10
VQZ115-5M-C4-PR VQZ215-5GB VQZ242-4YB-C6 VQZ332-5MB-02 VQZ342-5YB-C6
VQZ115-5M-C6-PRF VQZ215-5GB-02 VQZ242-5GB-C4 VQZ332-5MB-C8-F VQZ342-5YB-C8
VQZ115-5M-CP VQZ215-5L VQZ242-5GB-C6 VQZ332-5M-C6 VQZ342-5YZ-02
VQZ115-5MO-C4 VQZ215-5L-01 VQZ242-5GB-M5 VQZ332-5M-C8 VQZ342-5YZB-02
VQZ115-5YB-C6 VQZ215-5L-02 VQZ242-5LB-C6 VQZ332-5MOB-C8-F VQZ342-5YZB-C8
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