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深圳市邁瑞斯國際有限公司

經(jīng)營產(chǎn)品: 功率模塊: GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、整流橋 (電流25A-3600A)(600V/1200V/1700V/3300V6500V); ●LEM/ Honeywell霍爾傳感器、電流傳感器、電壓傳感器; ●器件: 多芯片模塊,模擬和混合信號邏輯芯片,數(shù)字光耦和模擬輸出光耦,光電耦合器,發(fā)光二極管; ●集成電路(IC)、二三極管、場效應(yīng)管; ●電阻電容: 大制動電阻、功率電阻、保護電阻、緩沖電阻以及貼片電阻; 鉭電容、鋁電容,電解電容、吸收電容、薄膜電容、西門子電容以及貼片電容; 經(jīng)營品牌: 德/歐系:西門子(SIEMENS)、英飛凌(Infineon)、優(yōu)派克(eupec)、西門康(SEMIKRON) 、 ABB、萊姆(LEM)、愛普科斯(EPCOS)、 美系:國半(NS)、整流器(IR)、美信(MAXIM)、安森美(ON)、意法半導體(ST)、德州儀器(TI) 、霍尼韋爾(Honeywell)、仙童(FSC)、 日系:三菱(MITSUBISHI)、日立(HITACHI)、歐姆龍(OMRON)、TDK、紅寶石( Rubycon); 韓系:三星(SAMSUNG)、

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FZ1200R16KF4S1FZ1200R16KF4S1

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  • 深圳市邁瑞斯國際有限公司
  • 2022-10-21 16:15:54
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【簡單介紹】

FZ1200R16KF4S1備注:*現(xiàn)貨

產(chǎn)地:德國

【詳細說明】

FZ1200R16KF4S1

FZ1200R16KF4S1 簡介

品牌:西門子(SIEMENS)、英飛凌(Infineon)、優(yōu)派克(eupec)同屬于西門子及子公司

備注:*現(xiàn)貨

產(chǎn)地:德國

批號:2014年生產(chǎn)

類型:IGBT功率模塊/IGBT智能模塊

關(guān)于更多 PDF 參數(shù) datasheet 資料 代理,現(xiàn)貨庫存 價格 歡迎。

專業(yè)功率IGBT模塊代理/批發(fā):.西門子、英飛凌、EUPEC、三菱、富士、東芝、三社、三墾、西門康、ST、IR,IXYS,日立等品牌,以及進口變頻器PLC。

FZ400R17KE4

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經(jīng)營產(chǎn)品:

●功率模塊:

GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、整流橋

(電流25A-3600A)(600V/1200V/1700V/3300V6500V);

●LEM/ Honeywell霍爾傳感器、電流傳感器、電壓傳感器;

●*級器件:

多芯片模塊,模擬和混合信號邏輯芯片,數(shù)字光耦和模擬輸出光耦,光電耦合器,發(fā)光二極管;

●集成電路(IC)、二三極管、場效應(yīng)管;

●電阻電容:

大制動電阻、功率電阻、保護電阻、緩沖電阻以及貼片電阻;

    鉭電容、鋁電容,電解電容、吸收電容、薄膜電容、西門子電容以及貼片電容;

經(jīng)營品牌:

德/歐系:西門子(SIEMENS)、英飛凌(Infineon)、優(yōu)派克(eupec)、西門康(SEMIKRON)、 ABB、萊姆(LEM)、愛普科斯(EPCOS)、

美系:國半(NS)、整流器(IR)、美信(MAXIM)、安森美(ON)、意法半導體(ST)、德州儀器(TI) 、霍尼韋爾(Honeywell)、仙童(FSC)、

日系:三菱(MITSUBISHI)、日立(HITACHI)、歐姆龍(OMRON)、TDK、紅寶石( Rubycon);

韓系:三星(SAMSUNG);

 

 IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。

igbt的應(yīng)用領(lǐng)域  

在變頻調(diào)速器中的應(yīng)用【3】   spwm變頻調(diào)速系統(tǒng)的原理框圖如圖1所示。主回路為以igbt為開關(guān)元件的電壓源型spwm逆變器的標準拓撲電路,電容由一個整流電路進行充電,控制回路產(chǎn)生的spwm信號經(jīng)驅(qū)動電路對逆變器的輸出波形進行控制;變頻器向異步電動機輸出相應(yīng)頻率、幅值和相序的三相交流電壓,使之按一定的轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)方向運轉(zhuǎn)。

    
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