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  TRICONEX 3006 在開啟期間，器件具有限制電流上升的*大dI/dt額定值。這是為了在達到全電流之前允許器件的整體達到導通。如果超過該額定值，器件*靠近柵極觸點的區(qū)域?qū)⑦^熱，并因過電流而熔化。dI/dt的速率通常通過添加α來控制飽和電抗器(導通緩沖器)，盡管GTO晶閘管的導通dI/dt沒有普通晶閘管嚴重，因為GTO是由許多并聯(lián)的小晶閘管單元構成的。飽和電抗器的復位通常對基于GTO的電路提出*小關斷時間要求。

  在關斷期間，必須限制器件的正向電壓，直到電流消失。該限值通常為正向阻斷電壓額定值的20%左右。如果在關斷時電壓上升過快，由于高電壓和電流集中在器件的一小部分上，不是所有的器件都將關斷，并且GTO將失效，通常是爆炸性的。實質(zhì)的緩沖器器件周圍增加了電路，以限制關斷時電壓的上升。復位緩沖電路通常會對基于GTO的電路提出*低導通時間要求。