暫無信息 |
當前位置:飛諾飛科技(上海)有限公司>> 銷售金硅面壘型半導體探測器廠家
我公司生產部分耗盡型金硅面壘半導體探測器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點,適用于對能譜要求高的場合,如氡釷分析儀等,B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個保護層,克服了易損壞、窗不能擦試等缺點適用于對能量分辨率要求不高,作為放射性強度測量的探測器。
型號 |
工作電壓 |
耗盡區厚度 μm | 對比ORTEC U-016-300-100 型 探測器 (Am-241 面源) 真空下測量能量分辯率 1.2? | 對比ORTEC U-016-300-100 型 探測器 (Am-241 面源) 真空下測量峰道址202 |
A-AS20 | 5~300VDC | 大于 1000 | 0.7~1.4? | 204~206 |
A-AS26 | 5~300VDC | 大于 1000 | 0.7~1.4? | 204~206 |
B-AS20 | 5~300VDC | 大于 1000 | 4.0~4.9? | 189-191 |
B-AS26 | 5~300VDC | 大于 1000 | 4.2~4.9? | 189-191 |
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業自行提供,信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業負責,化工機械設備網對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示:為規避購買風險,建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。