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卓知科儀（北京）技術(shù)有限公司

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用于自由空間耦合THZ發(fā)射器和探測器

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產(chǎn)品簡介

THZ發(fā)射極和THZ探測器由一個在砷化鎵基片上制作的微帶光電導(dǎo)天線（PCA）組成。根據(jù)泵浦激光波長，低溫生長的砷化鎵（lt-gaas）或Gabias用作光電導(dǎo)體。表面采用普通金屬化工藝形成共面赫茲偶極天線結(jié)構(gòu)。光電導(dǎo)天線的幾何結(jié)構(gòu)，以及光電導(dǎo)外延層的特性都經(jīng)過了優(yōu)化，以獲得的THZ輻射輸出效率，同時保持的帶寬。因此，當(dāng)輸出功率為30 mW且脈沖持續(xù)時間小于150 fs時，典型的THZ輻射功率超過10μW。探測系統(tǒng)的帶寬超過700千兆赫，可用光譜范圍為0.1-5太赫茲。

詳細(xì)介紹

【概述】

由高密度硅制成，安裝在X-Y級。Teravil提供兩種標(biāo)準(zhǔn)類型的透鏡：用于準(zhǔn)直或發(fā)散THZ光束輸出。在第二種情況下，PCA被放置在硅透鏡的再生點，這可以減少THZ光束的球面像差。

THZ發(fā)射器或探測器由面板側(cè)的激光束照亮。激光束必須聚焦在兩個電極之間（圖1）。金屬觸點之間的間隙類似于探測器外殼中的激光光斑直徑，而發(fā)射器外殼中的激光光斑直徑更大。THZ輻射由集成透鏡收集。

調(diào)整螺釘用于將硅透鏡定位到PCA中心。外殼背面的SMA插座用于將直流或交流偏壓連接到THZ發(fā)射器，并將鎖

定放大器輸入連接到THZ檢測器。三個M6孔中的任何一個可用于安裝在光學(xué)臺上的THZ發(fā)射器。

【特征】

基于LT-GaAs或GaBiAs光電導(dǎo)材料
針對800 nm或1060 nm左右的波長進(jìn)行了優(yōu)化
光譜范圍廣，噪音低
亞皮秒時間分辨率
隨附技術(shù)護(hù)照和測試報告

【應(yīng)用領(lǐng)域】

時間分辨寬帶太赫茲光譜
光學(xué)泵浦-THz探針光譜
太赫茲成像

模型	發(fā)射器		探測器
	EMT-08	EMT-10	DET-08	DET-10

光電導(dǎo)天線
光導(dǎo)材料	LT-GaAs	GaBiAs	LT-GaAs	GaBiAs
晶圓的尺寸	5 × 1.5 mm
厚度	600 µm
天線類型	帶狀線		偶級
偏壓	50 V, 典型值40 V		±12 V
中心太赫茲頻率	~0.5 THz		0.5 THz
檢測到太赫茲帶寬	–		up to 5 THz
集成聚焦鏡頭
材料	HRFZ-silicon
幾何形式	超半球
太赫茲光束輸出	準(zhǔn)直或發(fā)散		–
X-Y 可調(diào)節(jié)平臺范圍	±3 mm
泵浦光束參數(shù)
激發(fā)波長	800±40 nm	1060±40 nm	800±40 nm	1060±40 nm
平均功率	<50 mW	<20 mW	<50 mW	<20 mW
脈沖持續(xù)時間	<150 fs
脈沖重復(fù)頻率	20-100 MHz
光束輪廓	接近高斯
光束直徑	~2 mm

描述	模型	注釋
用于800nm波長太赫茲發(fā)射器	EMT-8	包括Si鏡頭和帶BNC連接器的同軸電纜
用于800nm波長的太赫茲探測器	DET-8	I包括Si鏡頭和帶BNC連接器的同軸電纜
用于1060nm波長太赫茲發(fā)射器	EMT-10	包括Si鏡頭和帶BNC連接器的同軸電纜
用于1060nm波長的太赫茲探測器	EMT-10	包括Si鏡頭和帶BNC連接器的同軸電纜
太赫茲發(fā)射器/探測器安裝平臺	MNT	包括XYZ平臺上的泵浦光束聚焦鏡頭
TMS-100M偏置電源	TMS-100	30 - 70 V DC或方波輸出

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