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MA4M2020 MNS微波芯片電容器

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更新時(shí)間：2023-02-22 16:19:13瀏覽次數(shù)：151次

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產(chǎn)品簡介

重要參數(shù) MA4M2020 MNS微波芯片電容器電容（PF）：20隔離電壓（V）：200芯片樣式：132

詳細(xì)介紹

4M系列金屬氮化物硅芯片電容器是專為微波電路應(yīng)用中的高可靠性和可重復(fù)性而設(shè)計(jì)的。這些電容器是用低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）制成的，這種沉積能產(chǎn)生致密、均勻的氮化物層。與類似的MOS、MIS和陶瓷電容器相比，這些器件具有更高的單位面積電容（導(dǎo)致更小的芯片尺寸）和更高的耐用性。蒸發(fā)金觸點(diǎn)用于在電容器芯片上提供易于粘合的金屬墊。M/A-Com MNS電容器在150攝氏度的額定隔離電壓下沒有顯示可測量的電容變化。

MA4M系列芯片電容器是Ku波段混合微波電路的，在Ku波段，低損耗、高可靠性、小尺寸和溫度穩(wěn)定性是首要考慮的問題。

這些芯片電容器適用于需要直流塊、耦合電容器、旁路電容器、電容負(fù)載和振蕩器、乘法器和濾波器中的調(diào)諧元件的應(yīng)用。


MA4M2020特征

?良好的重復(fù)性（晶圓對晶圓和批次對批次）

?小尺寸

?低損耗，高Q

?提供圓形或方形粘合墊


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