當(dāng)前位置：萊特萊德哈爾濱水處理設(shè)備公司>>EDI超純水設(shè)備>>芯片清洗用超純水設(shè)備-15T/H

芯片清洗用超純水設(shè)備-15T/H

返回列表頁(yè)

參考價(jià)

面議

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品牌

廠商性質(zhì)其他

所在地

在線(xiàn)詢(xún)價(jià) 收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話(huà)

化工機(jī)械設(shè)備網(wǎng)采購(gòu)部電話(huà)：0571-88918531QQ:2568841715

聯(lián)系方式：查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2023-06-20 15:39:15瀏覽次數(shù)：122次

聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自化工機(jī)械設(shè)備網(wǎng)

產(chǎn)品分類(lèi) 品牌分類(lèi)

  EDI超純水設(shè)備

全部產(chǎn)品列表

暫無(wú)信息

萊特萊德哈爾濱水處理設(shè)備公司

經(jīng)營(yíng)模式：其他

商鋪產(chǎn)品：229條

所在地區(qū)：

詢(xún)價(jià) 給他留言

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

一、芯片清洗用超純水設(shè)備-15T/H概述　　芯片清洗用超純水設(shè)備-15T/H的出水量是每小時(shí)15噸

詳細(xì)介紹

　　一、芯片清洗用超純水設(shè)備-15T/H概述

　　芯片清洗用超純水設(shè)備-15T/H的出水量是每小時(shí)15噸。芯片清洗用超純水設(shè)備采用*的電滲析與離子交換相結(jié)合的技術(shù)，克服了單一技術(shù)的缺點(diǎn)，的結(jié)合了兩種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，滿(mǎn)足實(shí)際的生產(chǎn)需要。芯片清洗用超純水設(shè)備是根據(jù)電子行業(yè)特殊要求而設(shè)計(jì)并制造的水處理設(shè)備，用戶(hù)可以根據(jù)自己的實(shí)際需要，調(diào)整設(shè)備的出水量，滿(mǎn)足用戶(hù)的實(shí)際需求。芯片清洗行業(yè)用超純水設(shè)備現(xiàn)已得到廣泛的應(yīng)用。

　　二、芯片清洗用超純水設(shè)備-15T/H的原理

　　電去離子(EDI)系統(tǒng)主要是在直流電場(chǎng)的作用下，通過(guò)隔板的水中電介質(zhì)離子發(fā)生定向移動(dòng)，利用交換膜對(duì)離子的選擇透過(guò)作用來(lái)對(duì)水質(zhì)進(jìn)行提純的一種科學(xué)的水處理技術(shù)。電滲析器的一對(duì)電極之間，通常由陰膜，陽(yáng)膜和隔板(甲、乙)多組交替排列，構(gòu)成濃室和淡室(即陽(yáng)離子可透過(guò)陽(yáng)膜,陰離子可透過(guò)陰膜)。淡室水中陽(yáng)離子向負(fù)極遷移透過(guò)陽(yáng)膜，被濃室中的陰膜截留，水中陰離子向正極方向遷移陰膜，被濃室中的陽(yáng)膜截留，這樣通過(guò)淡室的水中離子數(shù)逐漸減少，成為淡水，而濃室的水中，由于濃室的陰陽(yáng)離子不斷涌進(jìn)，電介質(zhì)離子濃度不斷升高，而成為濃水，從而達(dá)到淡化、提純、濃縮或精制的目的。

超純水設(shè)備

　　三、芯片清洗用超純水設(shè)備-15T/H優(yōu)點(diǎn)

　　1、無(wú)需酸堿再生：在混床中樹(shù)脂需要用化學(xué)藥品酸堿再生，而EDI則消除了這些有害物質(zhì)的處理和繁重的工作。保護(hù)了環(huán)境。

　　2、連續(xù)、簡(jiǎn)單的操作：在混床中由于每次再生和水質(zhì)量的變化，使操作過(guò)程變得復(fù)雜，而EDI的產(chǎn)水過(guò)程是穩(wěn)定的連續(xù)的，產(chǎn)水水質(zhì)是恒定的，沒(méi)有復(fù)雜的操作程序，操作大大簡(jiǎn)便化。

　　3、降低了安裝的要求：EDI系統(tǒng)與相當(dāng)處理水量的混床相比，有較不的體積，它采用積木式結(jié)構(gòu)，可依據(jù)場(chǎng)地的高度和靈活的構(gòu)造。模塊化的設(shè)計(jì)，使EDI在生產(chǎn)工作時(shí)能方便維護(hù)。

　　四、芯片清洗用超純水設(shè)備的工藝流程

　　1、采用離子交換方式，其流程如下：

　　原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→陽(yáng)樹(shù)脂過(guò)濾床→陰樹(shù)脂過(guò)濾床→陰陽(yáng)樹(shù)脂混床→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)。

　　2、采用兩級(jí)反滲透方式，其流程如下：

　　原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→級(jí)反滲透 →PH調(diào)節(jié)→中間水箱→第二級(jí)反滲透(反滲透膜表面帶正電荷)→純化水箱→純水泵→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)。

　　3、采用EDI方式，其流程如下：

　　原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→一級(jí)反滲透機(jī)→中間水箱→中間水泵→EDI系統(tǒng)→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)。

　　五、影響芯片清洗用超純水設(shè)備運(yùn)行的因素

　　(1)EDI進(jìn)水電導(dǎo)率的影響。在相同的操作電流下，隨著原水電導(dǎo)率的增加EDI對(duì)弱電解質(zhì)的去除率減小，出水的電導(dǎo)率也增加。如果原水電導(dǎo)率低則離子的含量也低，而低濃度離子使得在淡室中樹(shù)脂和膜的表面上形成的電動(dòng)勢(shì)梯度也大，導(dǎo)致水的解離程度增強(qiáng)，極限電流增大，產(chǎn)生的H+和OH-的數(shù)量較多，使填充在淡室中的陰、陽(yáng)離子交換樹(shù)脂的再生效果良好。

　　(2)工作電壓-電流的影響。工作電流增大，產(chǎn)水水質(zhì)不斷變好。但如果在增至高點(diǎn)后再增加電流，由于水電離產(chǎn)生的H+和OH-離子量過(guò)多，除用于再生樹(shù)脂外，大量富余離子充當(dāng)載流離子導(dǎo)電，同時(shí)由于大量載流離子移動(dòng)過(guò)程中發(fā)生積累和堵塞，甚至發(fā)生反擴(kuò)散，結(jié)果使產(chǎn)水水質(zhì)下降。

　　(3)濁度、污染指數(shù)(SDI)的影響。EDI組件產(chǎn)水通道內(nèi)填充有離子交換樹(shù)脂，過(guò)高的濁度、污染指數(shù)會(huì)使通道堵塞，造成系統(tǒng)壓差上升，產(chǎn)水量下降。

　　(4)硬度的影響。如果EDI中進(jìn)水的殘存硬度太高，會(huì)導(dǎo)致濃縮水通道的膜表面結(jié)垢，濃水流量下降，產(chǎn)水電阻率下降。影響產(chǎn)水水質(zhì)，嚴(yán)重時(shí)會(huì)堵塞組件濃水和極水流道，導(dǎo)致組件因內(nèi)部發(fā)熱而毀壞。

　　(5)TOC(總有機(jī)碳)的影響。進(jìn)水中如果有機(jī)物含量過(guò)高，會(huì)造成樹(shù)脂和選擇透過(guò)性膜的有機(jī)污染，導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行電壓上升，產(chǎn)水水質(zhì)下降。同時(shí)也容易在濃縮水通道形成有機(jī)膠體，堵塞通道。

　　(6)鐵、錳等金屬離子的影響。鐵、錳等金屬離子會(huì)造成樹(shù)脂的“中毒”。樹(shù)脂的金屬“中毒”會(huì)造成EDI出水水質(zhì)的迅速惡化，尤其是硅的去除率迅速下降。另外變價(jià)屬對(duì)離子交換樹(shù)脂的氧化催化作用，會(huì)造成樹(shù)脂的性損傷。

　　(7)進(jìn)水中CO2的影響。進(jìn)水中CO2生成的HCO3-是弱電解質(zhì)，容易穿透離子交換樹(shù)脂層而造成產(chǎn)水水質(zhì)下降。

　　(8)總陰離子含量(TEA)的影響。高的TEA將會(huì)降低EDI產(chǎn)水電阻率，或需要提高EDI運(yùn)行電流，而過(guò)高的運(yùn)行電流會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)電流增大，水中的濃度增大，對(duì)膜的命不利。

　　另外，進(jìn)水溫度、pH值、SiO2以及氧化物亦對(duì)EDI系統(tǒng)運(yùn)行有影響。