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半導體清洗用超純水設備—100T/H—EL10Q

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更新時間：2023-05-10 14:27:46瀏覽次數(shù)：90次

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產(chǎn)品簡介

詳細介紹

　　一、半導體清洗用超純水設備概述

　　隨著科技的進步，電子工業(yè)也在迅速的發(fā)展，在芯片半導體的生產(chǎn)過程中，對于半導體清洗用水的水質(zhì)標準也越來越高。超純水設備一般應用于市政用水，處理成對不同離子的含量和顆粒度都有很高要求的超純水。

　　二、半導體清洗用超純水設備優(yōu)點

　　1、工藝的設計細微周到，元件的材質(zhì)、性能、設計的流量、流速、壓力等均符合國家的標準規(guī)范及國外材料商的規(guī)定要求。

　　2、制水過程高度自動化，自動進水，自動制水，純水箱滿水自動停機，用水后自動恢復，可實現(xiàn)無人值守的運行。

　　3、可選用可編程控制(PLC)，計算機觸摸屏控制，遠程數(shù)據(jù)采集及監(jiān)控等*技術，使產(chǎn)品更具現(xiàn)代化特色。

　　三、半導體清洗用超純水設備工藝流程

　　EDI工藝詳細描述：

　　來自城市水源的水中含有鈉、鈣、鎂、氯化物、硝酸鹽、碳酸氫鹽、二氧化硅等溶解鹽。這些鹽由帶負電的離子(anion)和帶正電的離子(cation)組成。98%以上的離子都可以通過反滲透(RO)處理得以去除。城市的水源還含有有機物、溶解氣體(如：O2、CO2)、微量金屬和其它微電離的無機化合物，這些雜質(zhì)在工業(yè)應用過程當中必須去除(如硼和硅)。RO系統(tǒng)和其預處理也可以去除許多這些雜質(zhì)。

　　RO反滲透純凈水設備產(chǎn)水的電導率理想范圍一般在4-20µS/cm，而根據(jù)應用領域的不同，超純水或去離子水的電阻率一般在2-18.2MΩ.cm之間。通常，EDI進水離子越少，其產(chǎn)品水質(zhì)量越高。

　　EDI工藝從水中去除不想要的離子，依靠在淡水室的樹脂吸附離子，然后將它們遷移到濃水室中。

　　離子交換反應在模塊的淡水室中進行，在那里陰離子交換樹脂釋放出氫氧根離子(OH-)而從溶解鹽(如氯化物、Cl-)中交換陰離子。同樣，陽離子交換樹脂釋放出氫離子(H+)而從溶解鹽中(如鈉、Na+)交換陽離子。

　　從水流中去除離子的吸附步驟，在模塊中的停留是有限的(近似10~15秒)。當被吸附時，離子僅僅被外在的直流電場驅(qū)動遷移。

　　一個直流(DC)電場通過放置在組件一端的陽極(+)和陰極(-)實現(xiàn)。電壓驅(qū)動這些被吸收的離子沿著樹脂球的表面移動，然后穿過離子選擇性膜進入濃水室。直流電場也裂解水分子形成氫氧根離子和氫離子：

　　H2O=OH-+H+

　　離子交換膜由垂直線表示，這些垂直線根據(jù)離子穿透性的不同標注成不同的幾項。因為這些離子選擇性膜不允許水穿過，所以他們對水流來說是個屏障。

　　帶負電的陰離子(如OH-、Cl-)被吸引到陽極(+),并且被陰極排斥。這些離子穿過陰離子選擇性膜，進入相鄰的濃水室，而不會穿過相鄰的陽離子選擇性膜，并滯留在濃水室，并隨濃水流出濃水室。在淡水室中帶正電的陽離子(如H+、Na+)被吸引到陰極(-),并且被陽極排斥。這些離子穿過陽離子選擇性膜進入臨近的濃水室，他們在那里被臨近的陰離子選擇性膜阻擋，并隨濃水流出濃水室。

　　在濃水室中，仍然維持電中性。從兩個方向輸送過來的離子彼此相互中和。從電源流過來的電流跟移動離子的數(shù)目成比例。水裂解離子(H+和OH-)和現(xiàn)存的離子都被遷移并且被加到所要求的電流之中。

　　當水流流過兩種不同類型的腔體時，淡水室中的離子就會被去除，同時被收集到鄰近的濃水流之中，這就可以從模塊中帶走被去除了的離子。

　　在淡水室和(或)濃水室中使用離子交換樹脂是EDI的關鍵技術和。在淡水室中還會發(fā)生一個重要現(xiàn)象，在電勢梯度高的特定區(qū)域，電化學“分解”能夠使水產(chǎn)生大量的H+和OH-離子。這些區(qū)域中產(chǎn)生的H+和OH-離子在混合的離子交換樹脂中可以使樹脂和膜不斷再生，并且不需要外加化學試劑。

　　合格的反滲透純凈水設備對于EDI理想的性能表現(xiàn)和EDI系統(tǒng)工作是一個基本要求(實際上對于任何基于離子交換樹脂的去離子系統(tǒng)都是這樣)。進水流中的污染物質(zhì)對去離子組件會產(chǎn)生負面影響，要么增加維修頻率，要么減少模塊的使用壽命。因此，RO反滲透系統(tǒng)的品質(zhì)和它的預處理是需要審定的。

　　四、半導體清洗用超純水設備工程客戶案例

合作公司	應用行業(yè)/噸位
陜西神光新能源有限責任公司	化工行業(yè)100噸/H 超純水設備
第四十七研究所	工業(yè)100T/H超純水設備
沈陽肯彼克電源科技有限公司	電子電源20T/H超純水處理設備
黑龍江奧宇石墨集團有限公司	生產(chǎn)行業(yè)專用15T/H超純水處理設備
哈爾濱鼎昕電子科技有限公司	電子行業(yè)15L/H超純水設備
沈陽鐵路信號責任有限公司	工業(yè)用50T/H超純水設備
深圳天馬微電子股份有限公司	電子工業(yè)100T/H超純水設備

　　五、半導體清洗用超純水設備水質(zhì)標準

　　關于超純水設備的出水水質(zhì)有很多標準，對于不同企業(yè)生產(chǎn)過程中所用到的純水水質(zhì)也有所不同。半導體行業(yè)要遵循我國電子工業(yè)的相關標準，并且還要達到一些國外的水質(zhì)標準等。而且還能達到美國ASTM標準和德國、日本等標準，并且水質(zhì)穩(wěn)定不會造成二次污染。

　　半導體芯片清洗超純水設備出水水質(zhì)符合美國ASTM純水水質(zhì)標準、我國電子工業(yè)部電子級水質(zhì)技術標準(18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm五級標準)、我國電子工業(yè)部高純水水質(zhì)試行標準、美國半導體工業(yè)用純水指標、日本集成電路水質(zhì)標準、國內(nèi)外大規(guī)模集成電路水質(zhì)標準。

　　六、半導體清洗用超純水設備施工方案

　　1) 合同簽訂后，10個工作日內(nèi)設備到達現(xiàn)場，開始施工。需要預付款。

　　2) 施工工期為7個工作日，設備全部完工不超過20個工作日。

　　3) 需方準備情況：

　　原水量供應要滿足設備要求用水量。

　　電源安排供方施工現(xiàn)場。

　　設備安裝所需排水位置。

　　4) 供方負責項目工程：

　　安裝項目包括：全套設備的安裝施工。

　　設備調(diào)試：供方負責設備調(diào)試，達到設備安全穩(wěn)定運行。

　　培訓：供方選派有豐富工作經(jīng)驗的技術人員為需方操作人員及技術人員培訓。

　　注：安裝整套設備時供方會積極配合需方所要求的各項工作，需方應為供方提供施工中的便利。

　　以上是半導體清洗超純水設備的優(yōu)點及工藝流程的詳細分析，萊特萊德是集設計、生產(chǎn)、制造于一體的綜合大型企業(yè)，廠家生產(chǎn)的超純水設備能夠長期而穩(wěn)定的生產(chǎn)出符合質(zhì)量要求的用水，我們還提供各種行業(yè)專用的水處理設備，憑借多年的努力和發(fā)展、設備齊全、安裝和調(diào)試、優(yōu)質(zhì)的售后服務，竭誠為廣大客戶服務。

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