B-H測量: 磁通密度(Bm),剩余磁通密度(Br),磁場(Hm),矯頑磁力(Hc),角形比(Br/Bm),振幅比導磁率(ua),鐵損(Pc、Pcv、Pcm),電流電壓相位差(q),總磁通變化(2Φm) Pc測量: 磁通密度(Bm),剩余磁通密度(Br),磁場(Hm),頑磁力(Hc),,振幅比導磁率(ua),鐵損(Pc、Pcv、Pcm),電流電壓相位差(q),視在功率(VA) u測量: 磁通密度(Bm),磁場(Hm),阻抗導磁率(uZ),復式本源導磁率(m'、m''),振幅比導磁率(ua),鐵損(Pc、Pcv、Pcm),電流電壓相位差(q),消耗因子(tanδ),電感(L),抵抗運動(R),阻抗(Z),品質系數(Q) 飽和磁通密度(Bs),頑磁力(Hc),剩余磁通密度(Br),方形比(Br/Bm)核心損失(Pc,Pcv,Pcm),振幅比導磁率(ua),相位調節(q),交流初始磁導率(uiac),電感(L),Q值(Q),[單位系 SI單位系] |