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上海續波光電技術有限公司
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化學束外延起源于上個世紀80年代，它結合了分子束外延（MBE）和化學氣相沉積（CVD）技術的優點，適用于生長III-V族半導體薄膜，也可以用于Si,SixGe1-x,FeSi2薄膜沉積,以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3,超導氧化物,TiO2,Al2O3,摻鉺Al2O3,Y2O3,CdO,HfO2,LiNbO3,MgO,ErSiO,ZnO,ZrO2等
化學束外延起源于上個世紀80年代，它結合了分子束外延（MBE）和化學氣相沉積（CVD）技術的優點，適用于生長III-V族半導體薄膜，也可以用于Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜沉積, 以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3, 超導氧化物, TiO2, Al2O3, 摻鉺Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO2等。
化學束外延借用CVD（反應前驅體分子通過氣相傳輸到加熱襯底上）及MBE（前驅體流分子束本質——分子軌跡視線）的概念。一般說來，化學束外延的真正價值在過去并未得到承認，大多數熟悉這種技術的人都發現化學束外延很復雜，并且上世紀90年代化學束外延的各種優勢的結合未被*挖掘，而這種結合卻是現在制造復雜設備的關鍵所在。目前，我們代理的設備是經過20年的持續不斷研發，將設簡單易用、工藝優化、所有的優點和設施集中于一套可靠的設備中。
實驗證明化學束外延具有顯著的優點，例如：
• 可控多元素材料沉積及摻雜，例如GaAsInP
• 6’’襯底均勻性：無旋轉+/-1.5%，旋轉+/-0.5% • 沉積大面積薄膜：直徑100mm - 450mm或更大
• 前驅體轉化率高，生長速率10 nm/h至20μm/h • 歐盟項目支撐: 3D-DEMO, NUOTO, NANOBIUM
• 已經商業化薄膜: TiO2, Al2O3, Ta2O5, Nb2O5, HfO2 • 超高真空原位診斷技術、自組裝結構、工藝溫度很低
• 可以一步實現復雜形狀和（成分/厚度）梯度薄膜材料 • 無氣相反應、工藝靈活（從外延生長到高度多孔材料）
• （激光，EUV，X-ray）光束/離子束/電子束輔助沉積， 用于3D打印、復雜材料堆棧、
組織/晶相/成分選擇性調控、 改善外延和材料性能、降低熱應力和晶格失配
設備配置：
1. 熱漆外框架容納所有元件，標準RAL7035顏色； 2. 支持多達6種前驅體，專有熱源技術可達200℃；
3. 主要反應腔體采用可調熱內壁，圓柱形液氮冷阱圍繞樣品臺；可遠程控制，電腦監控各種參數；
4. 輻射加熱襯底溫度可達700℃，其他加熱器支持襯底溫度可達1400℃；
5. 真空系統用組合泵：250l/s分子泵+10m3/h干泵； 6. 配備全自動Load-Lock，等離子體清洗功能可選。
7. 在樣品生長過程中激光/電子/離子束輻照單元。
8. 可逆組裝：（無襯底旋轉）均勻性優于±2%，（有襯底旋轉）均勻性優于+/-0.5%；組合配置用以生長梯度樣品：
厚度梯度支持1個前驅體，化學成分梯度支持2-6個。兩種方式通過程序控制切換。
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