京邁研3529  氧化鎵靶材  Ga2O3磁控濺射材料 電子束鍍膜蒸發(fā)料 

【參數(shù)說明】

支持靶材定制，請?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會盡快為您報價！！ 

【產(chǎn)品介紹】

氧化鎵，別名三氧化二鎵，氧化鎵  Ga2O3  是一種寬禁帶半導(dǎo)體，Eg=4.9eV，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學(xué)探測器。

【關(guān)于我們】

服務(wù)項(xiàng)目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質(zhì)量保證，售后無憂！

產(chǎn)品附件：發(fā)貨時產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝

適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備 

質(zhì)量控制：嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度；可提供質(zhì)檢報告。 

加工流程：熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測→包裝出庫

陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導(dǎo)熱性差，連續(xù)長時間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導(dǎo)熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強(qiáng)烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！

我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。

注  ：高純銦的熔點(diǎn)約為156℃，靶材工作溫度超過熔點(diǎn)會導(dǎo)致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！

建議：陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。

我公司主營金屬靶材、陶瓷靶材、合金靶材，歡迎您的垂詢。