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京邁研 氧化鎵靶材 Ga2O3磁控濺射材料

參   考   價: 1000

訂  貨  量: ≥1  件

具體成交價以合同協議為準

產品型號3529

品       牌

廠商性質生產商

所  在  地北京市

更新時間:2022-01-20 17:05:26瀏覽次數:160次

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京邁研3529 氧化鎵靶材 Ga2O3磁控濺射材料 電子束鍍膜蒸發料

京邁研3529  氧化鎵靶材  Ga2O3磁控濺射材料 電子束鍍膜蒸發料 

【參數說明】

支持靶材定制,請提供靶材產品的元素、比例(重量比或原子比)、規格,我們會盡快為您報價??! 

【產品介紹】

氧化鎵,別名三氧化二鎵,氧化鎵  Ga2O3  是一種寬禁帶半導體Eg=4.9eV,其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料,在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ,被用作于Ga基半導體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。

中文名

氧化鎵

      

1740°C

化學式

Ga2O3

    

未確定

分子量

187.44

    

未確定

 

【關于我們】

服務項目:靶材成份比例、規格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款,質量保證,售后無憂!

產品附件:發貨時產品附帶裝箱單/質檢單/產品為真空包裝

適用儀器:多種型號磁控濺射、熱蒸發、電子束蒸發設備 

質量控制:嚴格控制生產工藝,采用輝光放電質譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段,分析雜質元素含量保證材料的高純度與細小晶粒度;可提供質檢報告。 

加工流程:熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫

陶瓷化合物靶材本身質脆且導熱性差,連續長時間濺射易發生靶裂情況,綁定背靶后,可提高化合物靶材的導熱性能,提高靶材的使用壽命。我們強烈建議您,選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶!

我公司采用高純銦作為焊料,銦焊厚度約為0.2mm,高純無氧銅作為背靶。

 :高純銦的熔點約為156℃,靶材工作溫度超過熔點會導致銦熔化!綁定背靶不影響靶材的正常使用!

建議:陶瓷脆性靶材、燒結靶材,高功率下濺射易碎,建議濺射功率不超過3W/cm2。

我公司主營金屬靶材、陶瓷靶材、合金靶材,歡迎您的垂詢。

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