京邁研3529  氧化鎵靶材  Ga2O3磁控濺射材料 電子束鍍膜蒸發料 

【參數說明】

支持靶材定制，請提供靶材產品的元素、比例（重量比或原子比）、規格，我們會盡快為您報價！！ 

【產品介紹】

氧化鎵，別名三氧化二鎵，氧化鎵  Ga2O3  是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。

【關于我們】

服務項目：靶材成份比例、規格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質量保證，售后無憂！

產品附件：發貨時產品附帶裝箱單/質檢單/產品為真空包裝

適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發、電子束蒸發設備 

質量控制：嚴格控制生產工藝，采用輝光放電質譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質元素含量保證材料的高純度與細小晶粒度；可提供質檢報告。 

加工流程：熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫

陶瓷化合物靶材本身質脆且導熱性差，連續長時間濺射易發生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！

我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。

注  ：高純銦的熔點約為156℃，靶材工作溫度超過熔點會導致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！

建議：陶瓷脆性靶材、燒結靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。

我公司主營金屬靶材、陶瓷靶材、合金靶材，歡迎您的垂詢。