50HZ介電常數(shù)電容率測試儀復相對電容率 complex relative permittivity

εr

由相對電容率和損耗指數(shù)結合而得到的:

式中:

εr——復相對電容率;

ε''r——損耗指數(shù);

ε'r、εr——相對電容率;

tanδ——介質損耗因數(shù)。

注:有損耗的電容器在任何給定的頻率下能用電容Cs和電阻Rs的串聯(lián)電路表示,或用電容CP和電阻RP(或電導CP)并聯(lián)電路表示。

                 并聯(lián)等值電路                                                                 串聯(lián)等值電路

式中:

Cs——串聯(lián)電容;

Rs——串聯(lián)電阻;

1)有些國家用“損耗角正切"來表示“介質損耗因數(shù)",因為損耗的測量結果是用損耗角的正切來報告的。

CP——并聯(lián)電容;

RP——并聯(lián)電阻。

雖然以并聯(lián)電路表示一個具有介質損耗的絕緣材料通常是合適的,但在單一頻率下,有時也需要以電容Cs和電阻Rs的串聯(lián)電路來表示。

串聯(lián)元件與并聯(lián)元件之間,成立下列關系: 

式(9)、(10)、(11)中:Cs、Rs、CP、RP、tanδ同式(7)、(8)。

無論串聯(lián)表示法還是并聯(lián)表示法,其介質損耗因數(shù)tanδ是相等的。

主要技術參數(shù)

假如測量電路依據(jù)串聯(lián)元件來產生結果,且tanδ太大而在式(9)中不能被忽略,則在計算電容率前必須先計算并聯(lián)電容。

本標準中的計算和測量是根據(jù)電流(ω=πf)正弦波形作出的。

50HZ介電常數(shù)電容率測試儀因為只有少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內它們的εr和tanδ幾乎是恒定的,且被用作工程電介質材料,然而一般的電介質材料必須在所使用的頻率下測量其介質損耗因數(shù)和電容率。

電容率和介質損耗因數(shù)的變化是由于介質極化和電導而產生,最重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導致的界面極化所引起的。

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