大鼠胃動素(MTL)ELISA試劑盒


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典型的半導體硅和鍺晶體存在著另一種能帶重疊情況。晶體硅和鍺都是金剛石型結(jié)構(gòu)，每個原子以 4 個 sp3 雜化軌道成鍵，并形成兩組均可容納 4NA①  1eV≈1.602×10-19J。以單位物質(zhì)的量計時，1eV 相當于 9.648×104J·mol-1個電子的能帶，能級較低的能帶為滿帶，能級較高的能帶為空帶，其間間隔 著 EA 較小的禁帶。因而具有典型半導體的能帶結(jié)構(gòu)。

    金屬的導電主要是通過未滿帶中的電子來實現(xiàn)的。溫度上升時，由于金 屬中原子和離子的熱振動加劇，電子與它們碰撞的頻率增加，電子穿越晶格 的運動受阻，從而導電能力降低。因此金屬電導率隨溫度升高而有所下降。 絕緣體不能導電主要是因為禁帶的寬度較大，一般都大于 5eV，在一般溫度 下電子難以藉熱運動而躍過禁帶。半導體則由于禁帶寬度較小，一般均小于2～3eV，雖然在很低溫度時不能導電，但當升高至適當溫度(例如室溫)時就 可有少數(shù)電子藉熱激發(fā)，躍過禁帶而導電。因此，根據(jù)能帶理論可以說明導 體、半導體和絕緣體導電性的區(qū)別。