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KRi 射頻離子源應用于紅外截止濾光片 IRCF 工藝
閱讀：183 發布時間：2023-7-3KRi 射頻離子源應用于紅外截止濾光片 IRCF 工藝
上海伯東某客戶為精密光學鍍膜產品生產商, 生產過程中需在白玻璃上進行鍍膜. 由于國產鍍膜設備在射頻和光控性能方面的限制, 鍍制過程易出現溫漂現象, 材料折射率不高, 品質無法保證; 且工藝上需要加熱, 這大大增加了鍍膜時間. 經過伯東推薦選用國產鍍膜機加裝美國進口 KRi 射頻離子源進行輔助鍍膜, 保證工藝效果, 提高生產效率.
紅外截止濾光片是一種用于過濾紅外波段的濾鏡, IRCF 利用精密光學鍍膜技術在白玻璃, 藍玻璃或樹脂片等光學基片上交替鍍上高低折射率的光學膜, 其可通過實現近紅外光區截止以消除紅外光對成像的影響, 是高性能攝像頭的組件, 工藝上對所用的鍍膜設備有著高的要求.
KRi 射頻離子源應用于紅外截止濾光片 IRCF 工藝
應用領域: 光學鏡頭
薄膜工藝: IR-CUT
產品類別: 紅外截止濾光片
應用方向: 國產鍍膜機加裝 KRi 射頻離子源進行離子清洗和輔助沉積, 實現 IR-CUT 單面鍍膜
美國 KRi 考夫曼品牌射頻離子源通過輔助鍍膜在白玻璃 IRCF 上進行工藝升級, 解決溫漂問題, 上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.
美國 KRi RFICP 射頻離子源技術參數：
型號 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 陽極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
上海伯東同時提供真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.
若您需要進一步的了解 KRi 射頻離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅先生