邢臺西門子變頻器一級*代理商                       邢臺西門子變頻器一級*代理商

《銷售態度》：質量保證、誠信服務、及時到位！ 
《銷售宗旨》：為客戶創造價值是我們永遠追求的目標！ 
《服務說明》：現貨配送至全國各地含稅（16%）含運費！ 
《產品質量》：原裝，*！均可質保一年，假一罰十！ 
《產品優勢》：專業銷售 薄利多銷 信譽好，口碑好，價格低，貨期短，大量現貨,服務周到!

以滿足客戶的需求為宗旨,以誠為本,精益求精

凡在本公司購買的產品，保證全新，假一罰十，可簽訂正式銷售合同，本公司主要經營S7-200,S7-300，S7-1200，S7-400 PLC模塊，觸摸屏，通訊電纜，編程電纜，DP接頭，LOGO,模快.SMART模塊,軟啟動器,伺服電機,變頻器等產品,西門子保內*產品‘質保一年。一年內因產品質量問題免費更換新產品；不收取任何費。

我公司對網上交易的客戶流程如下幾點：

一、產品報價

我們在收到客戶給出型號、參數后，會在短時間內給您的型號、參數，進行報價，并配合客戶工程師確認參數無誤：是否可以安裝，兼容等項目，確保*。

二、結算付款

請按照我司提供的付款方式支付費用，并盡可能通知我們，以便我們及時將貨品寄送給您。

三、產品運輸

默認為快遞方式運輸（德邦），在發貨后會委派專人協助跟蹤，將貨運單號給客戶，以便客戶及時查收，（說明：打包時會用氣泡墊或者海綿之類的東西，把貨物包裹好，以防損壞。）

四、保修服務

我們會根據西門子原廠保修標準執行，對所售的貨品保修一年，以及在貨品一周后，進行回，及時跟蹤設備運行狀態，以便我們更好的為您提供優質的服務。

西門子上海慶惜自動化設備有限公司竭誠為您服務

產品品牌：siemens/西門子 產品規格：*

產品質量：質量保證 產品價格：價格優勢

  ?

SIEMENS  西門子變頻器技術參數

晶閘管燒壞都是由溫度過高造成的，而溫度是由晶閘管的電特性、熱特性、結構特性決定的，因此保證晶閘管在研制、生產過程中的質量應從三方面入手：電特性、熱特性、結構特性，而且三者是緊密相連、密不可分的，所以在研制、生產晶閘管時應充分考慮其電應力、熱應力、結構應力。燒壞晶閘管的原因很多，總的說來還是三者共同作用下才致使晶閘管燒壞的，某一單獨的特性下降很難造成晶閘管燒壞，因此我們在生產過程中可以充分利用這個特點，就是說如果其中的某個應力達不到要求時可以采取提高其他兩個應力的辦法來彌補。

　　從晶閘管的各相參數看，經常發生事故的參數有：電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開通時間、關斷時間等，甚至有時控制極也可燒壞。由于晶閘管各參數性能的下降或線路問題會造成晶閘管燒壞，從表面看來每個參數所造成晶閘管燒壞的現象是不同的，因此通過解剖燒壞的晶閘管就可以判斷是哪個參數造成晶閘管燒壞的。

　　電壓引起晶閘管燒壞現象

　　一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒壞的小黑點說明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管的原因有兩中可能，一是晶閘管電壓失效，就是我們常說的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問題，線路中產生了過電壓，且對晶閘管所采取的保護措施失效。

　　電流引起晶閘管燒壞現象

　　電流燒壞晶閘管通常是陰極表面有較大的燒壞痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。

　　di/dt引起晶閘管燒壞現象

　　由di/dt所引起的燒壞晶閘管的現象較容易判斷，一般部是門極或放大門極附近燒成一小黑點。我們知道晶閘管的等效電路是由兩只可控硅構成，門極所對應的可控硅做觸發用，目的是當觸發信號到來時將其放大，然后盡快的將主可控硅導通，然而在短時間內如果電流過大，主可控硅還沒有*導通，大的電流主要通過相當于門極的可控硅流過，而此可控硅的承載電流的能力是很小的，所以造成此可控硅燒壞，表面看就是門極或放大門極附近燒成一小黑點。

　　dv/dt引起晶閘管燒壞現象

　　至于dv/dt其本身是不會燒壞晶閘管的，只是高的dv/dt會使晶閘管誤觸發導通，其表面現象跟電流燒壞的現象差不多。

　　開通時間引起晶閘管燒壞現象

　　開通時間跟di/dt的關系很密切，因此其燒壞晶閘管的現象跟di/dt燒壞晶閘管基本類似。

　　關斷時間引起晶閘管燒壞現象

　　關斷時間燒壞晶閘管的現象較難分析，其特點有時象電壓燒壞，有時又象電流燒壞，從實踐來看象電流燒壞的時候比較多。

　　以上分析只是從晶閘管表面的損壞程度來判斷其到底是由什么參數造成的，但無論什么原因損壞都會在晶閘管上留下痕跡，這種痕跡大多是燒壞的黑色痕跡，而黑色痕跡就是金屬熔化的痕跡，就是說燒壞晶閘管的根本原因是將晶閘管芯片熔化，有的是大面積熔化，有的是小面積熔化。我們知道單晶硅的熔點是1450℃~1550℃，只有超過這個溫度才有可能熔化，那么這么高的溫度是怎么產生的呢？

　　就晶閘管的各項參數而言即使每相參數都超出標準很多也不會產生如此高的溫度，因為溫度是由電流、電壓、時間三者的乘積決定的，其中某一相超標是不會產生這么高的溫度的，所以瞬時產生的高電壓、大電流是不會將芯片燒壞的，除非是高電壓、大電流、長時間才會如此，但這種情況是不可能出現的，因為晶閘管一經燒毀設備立即就會出現故障，會立即停機，時間不會很長的，因此燒壞晶閘管芯片的高溫決不是電流、電壓、時間三者的乘積產生的。那么到底是怎么產生的呢？

　　其實無論晶閘管的那個參數造成其燒壞，終的結果都可以歸納為電壓擊穿，就是說晶閘管燒壞的終原因都是由電壓擊穿造成的，其表面的燒壞痕跡也是由電壓擊穿所引起的，這點我們在晶閘管的應用中也能夠證明：在用萬用表測試燒壞的晶閘管時發現其陰極、陽極電阻都非常小，說明其內部短路，到目前為止基本沒發現有陰極、陽極開路的現象，因為芯片是由不同金屬構成的，不同金屬的熔點是不一樣的，總會有先熔化和后熔化之分，是逐漸熔化。

　　電壓擊穿與晶閘管表面燒壞的痕跡的關系

　　一般情況下應該是鋁墊片或銀墊片先熔化，然后才是硅片和鉬片，而鋁墊片或銀墊片也不會小面積熔化，應該是所有有效面積的墊片都會熔化。鋁墊片或銀墊片熔化后一是有可能產生隔離層使陰極和陽極開路，二是鋁墊片或銀墊片高溫熔化后與硅片的接合部有可能材質發生變化，產生絕緣的物質，造成陰極、陽極開路的現象。那么電壓擊穿與晶閘管表面燒壞的痕跡（小黑點或大面積熔化）有什么關系呢？

　　1.由于晶閘管的電壓參數下降或線路產生的過電壓超過其額定值造成其絕緣強度相對降低，因此發生啟弧放電現象，而弧光的溫度是非常高的，遠大于芯片各金屬的熔點，因此燒毀晶閘管，又由于芯片外圓邊緣、芯片陰極-陽極表面之間的絕緣電壓強度不是**的，只有在相對絕緣電壓較低的那點啟弧放電，因此電壓擊穿表現為在芯片陰極表面或芯片的邊緣有一小黑點。

　　2.由于晶閘管的電流、dv/dt、漏電、關斷時間、壓降等參數下降或線路的原因造成其芯片溫度過高，超過結溫，造成硅片內部金屬格式發生變化，引起其絕緣電壓降低，因此發生啟弧放電現象，弧光產生的高溫將墊片、硅片、鉬片熔化、燒毀，同時也會將外殼與芯片相連的金屬熔化。由于芯片溫度過高需要較長的時間，是慢慢積累起來的，因此超溫的面積是較大的，燒壞的面積也是較大的。

　　3.由于di/dt、開通時間燒壞的晶閘管雖然也是一小黑點，但燒壞的位置與真正的電壓擊穿是不同的，其燒壞的機理與上面2所述的是一樣的，只是由于芯片里面的小可控硅比較小，所以形成的燒毀痕跡亦較小，實際是已經將小可控硅*燒毀了。

　　綜上所述，無論什么原因燒壞晶閘管，終都是由于晶閘管絕緣電壓相對降低，然后啟弧放電，產生高溫，使晶閘管芯片金屬甚至外殼金屬熔化，致使晶閘管短路，損壞。

IGBT管的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離由于此氧化膜很薄，IGBT管的UGE 的耐壓值為 20V,在IGBT管加超出耐壓值的電壓時，會導致損壞的危險 此外，在柵極發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過 這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT管發熱乃至損壞在應用中，有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵*額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感 在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓，如果柵極回路不合適或者柵極回路*不能工作時（柵極處于開路狀態），若在主回路上加上電壓，則IGBT管就會損壞 為防止這類損壞情況發生，應在柵極一發射極之間接一只10千歐左右的電阻。此外，由于IGBT管為MOS結構，對于靜電就要十分注意 因此，請注意下面幾點：

　　（1）在使用模塊時，手持分裝件時，請勿觸摸驅動端子部分當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸；

　　（2）在用導電材料連接IGBT管的驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；

　　（3）盡量在底板良好接地的情況下操作 如焊接時，電烙鐵要可靠接地在安裝或更換IGBT管時，應十分重視IGBT管與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度，為了減少接觸熱阻，在散熱器與IGBT管間涂抹導熱硅脂，一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT管發熱，從而發生故障，因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT管的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT管工作。

　　igbt靜態參數測試系統

　　可測試IGBT參數包括ICES、BVCES、IGESF、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、

　　GFS、rCE等全直流參數，所有小電流指標保證1%重復測試精度，大電流指標保證2%以內重復測試精度。

　　主極電流可提供400A 500A 800A 1250A大電流測試選項

　　BR3500測試系統是一項高速多用途半導體分立器件智能測試系統。它具有十分豐富的編程軟件和強大的測試能力。可真實準確測試達九大類二十七分類大、中、小功率的半導體分立器件。

　　一、可測試種類

　　1.二極管                           Diode

　　2.穩壓（齊納）二極管               Zener

　　3.晶體管                            Transistor（NPN型/PNP型）

　　4.可控硅整流器（普通晶閘管）        SCR

　　5.雙向可控硅（雙向晶閘管）           TRIAC

　　6.MOS場效應管                  Power MOSFET（N-溝/P-溝）

　　7.結型場效應管               J-FET （N-溝/P-溝，耗盡型/增強型）

　　8. 三端穩壓器              REGULATOR（正電壓/負電壓，固定/可變）

　　9.絕緣柵雙*功率晶體管            IGBT（NPN型/PNP型）

　　10.光電耦合器                   OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型）

　　11.光電邏輯器件                         OPTO-LOGIC

　　12.光電開關管                          OPTO-SWITCH

　　13.達林頓陣列

　　14.固態過壓保護器                      SSOVP

　　15.硅觸發開關                          STS

　　16.繼電器                              RELAY（A、B、C型）

　　17.金屬氧化物壓變電阻                   MOV

　　18.壓變電阻                            VARISTO

　　19.雙向觸發二極管                      DIAC

　　二、技術參數及可實現目標

　　主極電壓：1000V                 通過內部設置可擴展到：2000V

　　主極電流：50A                         加選件可擴展到：400A/500A/1000A/1250A

　　控制極電壓：20V                     加大電流臺選件可擴展到：80V

　　控制極電流：10A                    加大電流臺選件可擴展到：40A

　　電壓分辨率：1mV

　　電流分辨率：100pA                 加小電流臺選件可擴展到：1pA