快速退火爐系統是一個簡單穩定的熱處理系統，適合于廣泛大尺寸為直徑2~12英寸的基片材料和結構的快速熱低溫退火(RTA)，（如電子級硅、鋼鐵、玻璃、單晶硅、III-V族化合物、II-VI族化合物、鍺、超導體、陶瓷等等）。快速退火爐配有一個管狀石英反應室或不銹鋼腔體，因此可兼容處理大長度為300毫米的3 D樣片。

法國RTP系列的快速退火爐由法國Semco公司專業開發制造，法國工藝保障。溫度均勻度≤1%，處理的大尺寸可以達到300mm，大溫度可以達到1200攝氏度，處理過程可以在真空環境或者惰性氣體的環境中執行，做多可支持4路進氣，可以用到的氣體包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。

基于PID處理控制器的Eurotherm可以存儲20套程序，每套程序可以支持高達100個步驟的設定，帶USB2.0的接口。包含UniSoft 軟件，與微軟Windows操作系統兼容。通過該軟件，通過鏈接電腦可以非常方便地實現程序編輯以及數據記錄。

技術規格：

- 大溫度：1200攝氏度；

- 升溫速率：1~200攝氏度/秒；

- 降溫速度：1~200攝氏度/分鐘；

- 溫控均勻性：±1℃設定溫度；

- 加熱方式：紅外鹵素燈，頂部及底部區域加熱；

- 燈管數量及功率：6支/20千瓦(RTP-50)，12支/33千瓦(RTP-100);

18支/34千瓦(RTP-200), 36支/108千瓦(RTP-300)；

- 腔體冷卻：水冷方式；

- 襯底冷卻：氮氣吹掃；

- 工藝氣路：MFC控制，多4路 (氮氣、氬氣、氧氣、氫氮混合氣等)；

應用領域：

- 離子注入/接觸退火；

- 快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；

- 可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環境下使用；

- SiAu, SiAl, SiMo合金化；

- 低介電材料；

- 晶體化，致密化；

- 太陽能電池片鍵合；

快速退火爐主要幾款型號：

1）  快速退火爐JetLight 50

產品特點：

1、基片從前面載入/取出；

2、紅外鹵素燈管加熱，冷卻采用風冷（低噪音水平，無需壓縮空氣）；

3、石英腔體，腔體冷卻采用水冷，冷壁設計；

快速退火爐技術參數：

1、腔體尺寸：直徑50mm×深度150mm；

2、紅外鹵素燈：6支； 大功率：15KW；

3、紅外鹵素燈冷卻方式：風冷；

4、溫度范圍：室溫~1000 ℃；

5、溫度精度：±1℃；

6、溫度控制：快速數字PID控制；

8、熱電偶：K型熱電偶；

9、工藝氣體氣路配質量流量計：壓力：2bars；

10、尺寸：500*500*400mm (W*D*H)；

2）快速退火爐JetFirst 100C

基片從前面載入/取出；

3）快速退火爐JetStar

也可以用于污染物處理；

基片從上面載入/取出；

大可支持的尺寸：直徑為300mm的Wafer或者300mm×300mm的基片；

大溫度高達1000攝氏度；

升溫速率為40K/sec；

降溫速率分段控制：從1000℃到400℃，降溫速率優于200K/sec。從400℃到100℃大降溫速率控制在30K/sec；