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導電型號測試儀KDK-STY-1

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更新時間:2017-08-15 14:26:46瀏覽次數:204

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產品簡介

導電型號測試儀KDK-STY-1是嚴格按照ASTM F42(非本征半導體材料導電類型的標準測試方法)中的熱探針法設計的導電類型鑒別儀。

本儀器熱探筆內裝有加熱和控溫組件,自動加熱并使溫度維持在40-60℃范圍內,冷熱探筆在半導體材料上產生的熱電動勢,經低噪聲、低漂移的集成運算放大器放大后,用寬表面檢流計指示型號方向,并可定量測出熱電流的數值大小。儀器靈敏度可調,可在廣泛的電阻率(從1000Ω·c

詳細介紹

1.導電型號測試儀KDK-STY-1

導電型號測試儀KDK-STY-1是嚴格按照ASTM F42(非本征半導體材料導電類型的標準測試方法)中的熱探針法設計的導電類型鑒別儀。

本儀器熱探筆內裝有加熱和控溫組件,自動加熱并使溫度維持在40-60℃范圍內,冷熱探筆在半導體材料上產生的熱電動勢,經低噪聲、低漂移的集成運算放大器放大后,用寬表面檢流計指示型號方向,并可定量測出熱電流的數值大小。儀器靈敏度可調,可在廣泛的電阻率(從1000Ω·cm高阻單晶到10-4Ω·cm重摻單晶)范圍內判別半導體材料型號。

 

二、技術性能

1、可判別鍺、硅材料的電阻率范圍:

   鍺:非本征鍺~10-4Ω·cm

   硅:104~10-4Ω·cm

   實驗證明:在室溫情況下,對于電阻率低于1000Ω·cm的N型和P型硅,本方法結果可靠。

2、熱電流測量范圍:0~±1μA   分六個量程:

±3nA、±10nA、±30nA、±100nA、±300nA、±1μA

zui大偏轉靈敏度:1×10-11A/格

3、鍺、硅單晶直徑及長度:不受限制。

4、顯示方式:中心刻度為零位的寬表面指針指示器,指針向正方向偏轉被測樣品為P型,指針向負方向偏轉被測樣品為N型。

5、探針:選用ASTM F42標準中建議的不銹鋼作探針材料,針尖為60°錐體,熱筆溫度自動保持在40-60℃范圍內。冷筆與室溫相同。

6、電源及功耗:AC 220V±10%,50HZ交流供電,耗電小于10W。

7、外型尺寸:170×160×230(mm)

8、重量:約2.5kg

 

 

 

 

 

 

 

 

 2.四探針電阻率測試儀  型號:KDK-KDY-4

KDK-KDY-4型四探針電阻率測試儀嚴格按照硅片電阻率測量的標準(ASTM F84)及國家標準設計制造,并針對目前常用的四探針電阻率測試儀存在的問題加以改進。整套儀器有如下特點:
1、配有雙數字表:一塊數字表在測量顯示硅片電阻率的同時,另一塊數字表適時監測全過程中的電流變化,使操作更簡便,測量更精確。
數字電壓表量程:0—199.9mV 靈敏度:100μV 輸入阻抗:1000ΜΩ
基本誤差±(0.4-0.5%讀數+0.1%滿度)
2、可測電阻率范圍:10—3 —1.9×103Ω·cm。
可測方塊電阻范圍:10—2 —1.9×104Ω/□。
3、設有電壓表自動復零功能,當四探針頭1、4探針間未有測量電流流過時,電壓表指零,只有1、4探針接觸到硅片,測量電流渡過單晶時,電壓表才指示2、3探針間的電壓(即電阻率)值,避免空間雜散電波對測量的干擾。
4、流經硅片的測量電流由高度穩定(萬分之五精度)的特制恒流源提供,不受氣候條件的影響,整機測量精度<3%。
電流量程分五檔:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA。
5、儀器采用觸點電阻更低(<5mΩ)、使用壽命更長的轉換開頭及繼電器(>10萬次),在絕緣電阻、電流容量方面留有更大的安全系數,提高了測試儀的可靠性和使用壽命。
6、四探針頭采用上*的紅寶石軸套導向結構,使探針的游移率減小,測量重復性提高

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.表面振動壓實試驗儀  型號:HYL8-ZYC-2

本儀器是采用表面振動壓實法測定無粘性自由排水粗粒土和巨粒土(包括堆石料)的zui大干密度的試驗儀器。 
1、電源電壓:380V;
2、耗電功率:≤looow;
3、振動頻率:47.5Hz;
4、激振力二2.5-4.2KN;
5、夯板作用在試樣表面靜壓力:13、8Kpa;
6、試筒規格:鋁制大筒一個內徑280mm,鋁制小筒一個內徑152mm;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.便攜式四探針電阻率測試儀 型號:KDK-KDY-1A

概述
便攜式電阻測度儀是用來測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
本儀器按照半導體材料電阻率的及國家標準測試方法有關規定設計。
它主要由電器測量部份(主機)及四探頭組成,需要時可加配測試架。
為減小體積,本儀器用同一塊數字表測量電流及阻率。樣品測試電流由高精寬的恒流源提供,隨時可進行校準,以確保電阻率測量的準確度。因此本儀器不僅可以用來分先材料也可以用來作產品檢測。對1~100Ω•cm標準樣片的測量瓿差不超過±3%,在此范圍內達到國家標準一級機的水平。
測量范圍:
可測量 電阻率:0.01~199.9Ω•cm。
可測方塊電阻:0.1~1999Ω/口
當被測材料電阻率≥200Ω•cm數字表顯示0.00。
(2)恒流源:
輸出電流:DC 0.1mA~10mA分兩檔
10mA量程:0.1~1mA 連續可調
10mA量程:1mA ~10mA連續可調
恒流精度:各檔均優于±0.1%
適合測量各種厚度的硅片
(3) 直流數字電壓表
測量范圍:0~199.9mv
靈敏度:100μv
準確度:0.2%(±2個字)
(4) 供電電源:
AC:220V ±10% 50/60HZ 功率8W
(5) 使用環境:
相對濕度≤80%
(6) 重量、體積
重量:2.2 公斤
體積:寬210×高100×深240(mm)
(7)KD探針頭
壓痕直徑:30/50μm
間距:1.00mm
探針合力:8±1N
針材:TC
 

 

 

 

 

 

 

 

 

5.四探針電阻率測試儀 型號:KDK-KDY-1

四探針電阻率/方阻測試儀(以下簡稱電阻率測試儀)是用來測量半導體材料(主要是硅單晶、鍺單晶、硅片)電阻率,以及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠方塊電阻的測量儀器。它主要由電氣測量部份(簡稱:主機)、測試架及四探針頭組成。
本儀器的特點是主機配置雙數字表,在測量電阻率的同時,另一塊數字表(以萬分之幾的精度)適時監測全程的電流變化,免除了測量電流/測量電阻率的轉換,更及時掌控測量電流。主機還提供精度為0.05%的恒流源,使測量電流高度穩定。本機配有恒流源開關,在測量某些箔層材料時,可免除探針尖與被測材料之間接觸火花的發生,更好地保護箔膜。儀器配置了本公司的產品:“小游移四探針頭”,探針游移率在0.1~0.2%。保證了儀器測量電阻率的重復性和準確度。本機如加配HQ-710E數據處理器,測量硅片時可自動進行厚度、直徑、探針間距的修正,并計算、打印出硅片電阻率、徑向電阻率的zui大百分變化、平均百分變化、徑向電阻率不均習庋。給測量帶來很大方便。
2、主機技術能數
(1)測量范圍:
可測電阻率:0.0001~19000Ω•cm
可測方塊電阻:0.001~1900Ω•□
(2)恒流源:
輸出電流:DC 0.001~100mA 五檔連續可調
量程:0.001~0.01mA
0.01~0.10mA
0.10~1.0mA
1.0~10mA
10~100mA
恒流精度:各檔均低于±0.05%
(3)直流數字電壓表:
測量范圍:0~199.99mV
靈敏度:10μV
基本誤差:±(0.004%讀數+0.01%滿度)
輸出電源:≥1000ΩM
(4)供電電源:
AC 220V±10% 50/60 Hz 功率:12W
(5)使用環境:
溫度:23±2℃ 相對濕度:≤65%
無較強的電場干擾,無強光直接照射
(6)重量、體積:
主機重量:7.5kg
體積:365×380×160(單位:mm 長度×寬度×高度)

備注:
等級測量時(測電阻率),精度<3%
電氣測量時(測電阻),精度在0.3%以內

備注:
儀器包括:主機一臺;測試架(包括臺面)一個;四探針頭1個

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