{首页主词}/三级四级特黄在线观看/国产精品videossex国产高清/五十路六十路七十路熟婆

系統規格：
波長范圍：350~850nm

入射角：30°~ 90°

解析度：±0.01°

待測樣品尺寸：up to 200mm

精度：1200A SiO₂標準片

厚度：（Tks）：±6A

折射率（N）：±0.01 at 632.8nm

重復性：1200A SiO₂標準片

厚度（Tks）：±2.5A

折射率（N）：±0.005 at 632.8nm （5 times）

尺寸：140cm×50cm×60cm

應用：

太陽能電池

SiNx減反膜工藝

TiO₂減反膜工藝

復合SiNx減反膜工藝

SiO₂鈍化工藝

復合SiNx/ SiO₂減反膜工藝

SiO₂掩膜工藝

TFT-LCD

SIOx，SiNx，a-Si:H，N+a-Si…

SEMI

High-k：AL2O3，SiO₂，Si3N4，SiNx…

LOW-k：SiOC，SiOF，SOG，BPSG…

OLED

AlQ3，CuPc…

軟件特征：

整合量測、分析、計算操作模式安全化同步原始數據呈現

硬件特征：

高穩定性氙燈光源

高解析度光柵式單色儀

波長范圍：350~850nm

波長解析度：1nm，精度：0.5nm

三格林泰勒棱鏡偏振系統

波長：260~1800nm

消化比：＞10⁵

發散角：≤3mrad

真空吸附載物臺

自動連續入射角（零度校正）

高分辨率光電倍增管探測器

波長范圍：185nm~900nm

暗電流：≤25 nA

自動電壓增益控制系統（Vmax：1100v）

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