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廣州文明機電有限公司
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日常使用的SEM，好用！ 該設備分辨率1nm、探針電流300nA（之前的15倍），可提供豐富的觀測和分析信息，用戶界面操作簡單、設計緊湊、配備大樣品室。
■ 主要參數
| 分辨率 | 高真空模式：1.0 nm (20 kV) 3.0 nm (1.0 kV)，分析時：3.0 nm (15 kV 入射電流 3 nA)， 低真空模式：1.8 nm (15 kV BED) |
| 放大倍率 | ×5 ～ ×600,000 |
| 電子槍 | 浸沒式熱場發射電子槍 |
| 加速電壓 | 0.5 kV ～ 30 kV |
| 入射電流 | 數pA ～ 300 nA |
| 低真空范圍 | 10 Pa ～ 150 Pa |
| 樣品尺寸 | 200 mm直徑×75 mm高、200 mm直徑×80 mm高 ※1、32 mm直徑×90 mm高 ※2 |
| 樣品臺 | 全對中，X：125 mm Y：100 mm Z：80 mm 傾斜：－10 ～ 90° 旋轉：360° |
| OS、顯示器 | Microsoft® Windows®10 64bit， 23.8"觸摸型 |
| 真空系統 | 全自動TMP：1臺 SIP：2臺 RP：1臺 |
■ 選配件
1. 低真空二次電子檢測器 (LVSED)
2. 能譜儀 (EDS)
3. 波譜儀 (WDS)
4. 電子背散射衍射檢測器 (EBSD)
5. 氣鎖室 (LLC)
6. 樣品臺導航系統 (SNS)
7. 操作面板
8. 3D測長軟件
9. 操作臺
10. UPS
11. 空壓機
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