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沈陽北博電子科技有限公司
數字化系統協同設計、MEMS工藝制造SiO2層絕緣隔離擴散硅敏感電橋
1、主要特點:
數字化系統協同設計、MEMS工藝制造
SiO2層絕緣隔離擴散硅敏感電橋
特殊功能結構和材料
適應高寬工作溫度范圍
適應與硅、玻璃兼容的介質環境
表壓、絕壓、差壓類型齊全
覆蓋低、中、高寬壓力量程范圍
2、主要性能指標:
序號
項目
規格指標
備注
1
系列
耐高溫沖擊
貼片
2
類型
表壓、絕壓、差壓
3 基準壓力量程
100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10Mpa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100Mpa、200MP
100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa
1*
4 量程過載能力
≥3倍基準量程(≤10MPa); ≥1. 5倍基準量程(>10MPa); ≥1. 25倍基準量程(≥60MPa)
2*
5
橋路電阻
3~5kΩ
6
零點輸出
≤ ±25mV
3*
7
滿量程輸出
≥20mV(20kPa、35kPa); ≥30 mV(20kPa、30kPa); ≥50 mV(其它基準量程)
3*
8
準確度
≤ ±0.2%FS (其它基準量程); ≤ ±0.25%FS (≤60kPa、≥60MPa、100MPa)
± 0.5%FS(≤10kPa)
3*、4*
9
靈敏度對稱性
≤ ±0.3%FS
4*
10
工作溫度范圍
下限-55℃;上限+540℃;
下限-55℃;上限+230℃;
11
熱零點漂移
≤ 1%FS/℃(≤10kPa); ≤0.8%F.S /55℃(其它基準量程)
5*、6*
12
熱靈敏度漂移
≤2%FS/℃(≤10kPa); ≤ 1%F.S /55℃(其它基準量程)
5*、6*
13
短期穩定性
≤±0.03%FS/8h
3*
14
激勵電源
恒流0.5~1.5mA,或恒壓5V~10V
15
電橋連接形式
閉橋
16
芯片表面尺寸
≤3.5×2.7(mm)
≤1×1(mm),≤1,5 ×1.5(mm)
7*
注:1*. 可定制中間壓力量程; 2*. 100MPa量程過載為本量程上限;
3*. 5VDC恒壓激勵,恒溫25℃; 4*. 非線性數據計算為最小二乘法;
5*. 1mADC恒流激勵,恒溫25℃(可補償性); 6*. 55℃溫區為-30~25℃或25~80℃(可補償性);
7*. 硅片厚度c=500μm。
注:可提供定制服務,如有需求請與營銷人員聯系。
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