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深圳市諾芯盛科技有限公司


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AGM312MAP場效應管(MOSFET)N+P 漏源電壓(Vdss)30V用于英集芯IP6821無線充15W發射方案

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具體成交價以合同協議為準

產品型號AGM312MAP

品       牌

廠商性質其他

所  在  地深圳市

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更新時間:2024-12-11 17:29:31瀏覽次數:15次

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產品簡介

產品品牌 : AGM;類別: 廠商型號 : AGM312MAP 封裝規格 : ......

詳細介紹

產品屬性屬性值
產品分類 : MOS
產品品牌 : AGM
產品型號 : AGM312MAP
包裝數量 : 5000 PCS
包裝方式 : 真空卷帶
封裝規格 : PDFN3.3*3.3

AGM312MAP用于無線充15W發射方案N+P MOS管簡要參數:

屬性
參數值
商品目錄場效應管(MOSFET)
類型N溝道+P溝道
漏源電壓(Vdss)30V
連續漏極電流(Id)18A;18A
功率(Pd)3.6W
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)17mΩ@10V,10A;24mΩ@10V,10A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
柵極電荷(Qg@Vgs)4.1nC@4.5V;12nC@10V
輸入電容(Ciss@Vds)440pF@25V;860pF@15V
反向傳輸電容(Crss@Vds)32pF@15V
工作溫度-55℃~+150℃@(Tj)


AGM312MAP用于無線充15W發射方案N+P MOS管結構圖示:

微信圖片_20240410105059


AGM312MAP用于無線充15W發射方案N+P MOS管重要參數:

微信圖片_20240410105048

AGM312MAP用于無線充15W發射方案N+P MOS管典型參數特性:

微信圖片_20240410105359


AGM312MAP用于無線充15W發射方案N+P MOS管包裝信息說明:

微信圖片_20240410105346


更多關于AGM312MAP無線充15W發射方案N+P MOS管信息,請聯系諾芯盛科技獲取,可提供樣品及無線充電方案設計等


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